电子元器件安装体、电子元器件及基板制造技术

本发明专利技术提供的电子元器件安装体，在基板（6）上安装有包括多个元器件侧电极端子（3a，3b）的电子元器件（1），该基板包括与多个元器件侧电极端子（3a，3b）相对应的多个基板侧电极端子（7a，7b），其特征在于，包括：多个突起状电极（5a，5b），该突起状电极分别形成于电子元器件（1）的多个元器件侧电极端子（3a，3b）上且与电子元器件（1）及基板（6）电连接；假电极（3c），该假电极形成于电子元器件（1）上且与多个元器件侧电极端子（3a，3b）中的预定位置上的元器件侧电极端子（3a）电连接，与假电极（3c）电连接的预定位置上的元器件侧电极端子（3a）上的突起状电极（5a）比与上述预定位置不同的位置上的元器件侧电极端子（3b）上的突起状电极（5b）更高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有在基板上安装有电子元器件的结构的电子元器件安装体，以及用于电子元器件安装体上的电子元器件及基板。通常，在倒装芯片的安装中，LSI等半导体元件的电极上形成有焊料凸点等突起电极，且形成有该突起电极的半导体元件面朝下地安装在安装基板上。具体而言，加热后的半导体元件的突起电极压接在安装基板的电极端子上。作为在半导体元件的电极上形成焊料凸点的方法，一般采用如下方法:通过丝网印刷、涂布或电解电镀在电极上形成焊料层后，利用回流炉将该焊料层加热到焊料熔点以上。但是，近年来，为了同时实现半导体元件的高密度化与半导体元件电极端子的多引脚化，半导体元件的电极端子的窄间距化及面积缩小化正在加以推进。由于如上所述那样半导体元件的电极端子趋于窄间距化，因此若像从前那样在半导体元件的外周部配置I列电极端子、或交错地配置2列，则电极端子间可能会发生短路。另外，由于半导体元件的电极端子的窄间距化，从而产生由半导体元件与安装基板的热膨胀系数差而产生的翘曲所引起的连接不良等问题。因此，采用将半导体元件的电极端子配置成矩阵状的区域配置，从而实现电极端子间间距的扩大。但是，近年来，即使进行区域配置，电极端子的窄间距化进展依然显著，焊料接合部间的间距变窄。另外，近年来，半导体元件与基板端子之间的间隙也变窄了。因此，在安装倒装芯片时进行的压接及加热工序中，产生焊料桥接不良的问题。焊料桥接不良的产生是由于熔融的焊料凸点发生变形，并且由于焊料表面的张力引起焊料凸点互相粘连。因此，提出一种半导体装置，利用含有金属粒子的绝缘性皮膜将由金或铜形成的突起电极覆盖(例如，参照专利文献I)。根据该半导体装置，在安装倒装芯片时绝缘性皮膜及突起电极不会熔融。在该半导体装置中，通过在注入于半导体元件与基板之间的密封树脂硬化收缩时产生的压缩方向的力，从而使含有绝缘性皮膜的金属粒子与突起电极及基板端子接触，并使半导体元件的突起电极与基板端子电导通。由此，根据该半导体装置，即使电极端子间的间距变狭窄了，也能防止桥接的发生。但是，在仅依靠金属粒子与突起电极及基板端子不扩散接合地接触来确保电导通的连接方式下，若半导体元件的电极面积变小，则当然存在于突起电极与基板端子间的导电粒子的数量将变少。因此，将产生连接电阻变大且信号的传输损失增大的问题。特别是近年来，由于对半导体元件电极端子的窄间距化的要求变得非常严苛，并且半导体元件的电极端子的面积变得越来越小，因此该问题更为显著。因此，开始采用如下的2层结构的突起电极:利用高熔点金属形成下层金属，并利用焊料在该下层金属上形成上层金属(例如，参照专利文献2)。根据该2层结构的突起电极，与仅由焊料层组成的突起电极相比，能够减少焊料量，并且能在安装倒装芯片时减少平面方向上的焊料坍塌量。因此，可以防止焊料桥接的发生。另外，根据该2层结构的突起电极，由于焊料与基板端子进行扩散接合，因此接触电阻变小了。由此，信号的传输损失也不会增大。现有技术专利文献专利文献I日本专利特开2003-282617号公报专利文献2日本专利特开平9 - 97791号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题但是，出于近年来与布线规则的细微化或信号处理的高速化的要求相对应的目的，开始使用所谓I O w—k模、ULK (U I t r a I O w — k:超低介电常数)膜等低介电常数绝缘膜，以作为半导体元件的层间绝缘膜。为了降低介电常数，低介电常数绝缘膜呈具有多个数nm大小的空孔的多孔状。低介电常数绝缘膜的密度为，例如:1.0 1.4 g /cm3。因此，低介电常数绝缘膜是脆弱的。因此，在从前的安装方法中，存在低介电常数绝缘膜容易产生剥离或裂缝的问题。以专利文献2中记载的安装方法为例对该问题进行详细说明。图9是专利文献2中记载的安装方法的示意图。如图9上侧的图所示，在半导体元件101上形成有由电极102a及焊料接合部102b组成的凸点103。在该安装方法中，如图9所示，将上述凸点103与电路基板104上的电极105的位置对准后，对半导体元件101进行加热，并向电路基板104施加压力，从而使焊料接合部102b熔融。由此，将半导体元件101装载到电路基板104上。但是，如专利文献2的安装方法所示，通过电极102a及焊料接合部102b来确保凸点103的高度在面内相等，在此情况下，存在于电极102a正下方的脆弱的低介电常数绝缘膜会产生剥离或裂缝，该电极102a配置在半导体元件101的边角部分。这是由于，在凸点103高度相等的情况下，在倒装芯片工序中，较大的应力作用在存在于半导体元件101边角部分上的电极102a正下方的低介电常数绝缘膜上。S卩，由于在倒装芯片工序中将焊料熔融后进行的冷却过程中，半导体元件101与电路基板104的弹性率及线膨胀系数存在差值从而引起热应力集中到半导体元件101的边角部分上的焊料接合部102b，并且该应力不经过缓和而直接被传递到半导体元件101的电极102a正下方的层。另外，在温度差急剧增大的使用环境下，还存在如下的问题:产生与在倒装芯片工序中产生的热应力集中相同的热应力集中，并且位于电极正下方的脆弱的低介电常数绝缘膜产生剥离或裂缝。本专利技术鉴于上述问题，目的在于，提供一种电子元器件安装体、电子元器件以及基板，即使在将具有脆弱薄膜的半导体元件等电阻元器件安装到基板上的情况下也能容易地确保较高的连接可靠性。解决技术问题所采用的技术方案为了达成上述目的，本专利技术的第I电子元器件安装体在基板上安装有包括多个元器件侧电极端子的电子元器件，该基板包括与上述多个元器件侧电极端子相对应的多个基板侧电极端子，该电子元器件安装体的特征在于，包括:多个突起状电极，该突起状电极分别形成于上述电子元器件的上述多个元器件侧电极端子上且与上述电子元器件及上述基板电连接；假电极，该假电极形成于上述电子元器件上且与上述多个元器件侧电极端子中的预定位置上的元器件侧电极端子电连接，与上述假电极电连接的上述预定位置上的元器件侧电极端子上的上述突起状电极比与上述预定位置不同的位置上的元器件侧电极端子上的上述突起状电极更高。在上述本专利技术的第I电子元器件安装体中，也可以将上述假电极与上述多个元器件侧电极端子中的配置于与上述电子元器件的边角部相对应的位置上的元器件侧电极端子电连接。另外，在上述本专利技术的第I电子元器件安装体中，上述假电极可以包含面积互不相同的多种假电极，并且可以使得进行电连接的假电极的面积越大，与上述假电极电连接的元器件侧电极端子上的上述突起状电极的高度越高。另外，在该结构中，上述假电极包含:第I假电极，该第I假电极与第I元器件侧电极端子电连接，该第I元器件侧电极端子配置在与上述电子元器件的边角部相对应的位置上；以及第2假电极，该第2假电极的面积比上述第I假电极小并且与第2元器件侧电极端子电连接，该第2元器件侧电极端子与上述第I元器件侧电极端子相邻，上述第I元器件侧电极端子上的上述突起状电极可以比上述第2元器件侧电极端子上的上述突起状电极更高。另外，在上述本专利技术的第I电子元器件安装体中，也可以将上述假电极形成于与配置有上述电子元器件的上述多个元器件侧电极端子的面不同的面上。在该结构中，也可以将上述假电极与上述多个元器件侧电极端子中的配置于与上述电子元器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.01 JP 2010-2679431.一种电子元器件安装体，在基板上安装有包括多个元器件侧电极端子的电子元器件，该基板包括与所述多个元器件侧电极端子相对应的多个基板侧电极端子，该电子元器件安装体的特征在于，包括: 多个突起状电极，该多个突起状电极分别形成于所述电子元器件的所述多个元器件侧电极端子上且与所述电子元器件及所述基板电连接；以及 假电极，该假电极形成于所述电子元器件上且与所述多个元器件侧电极端子中的预定位置上的元器件侧电极端子电连接， 与所述假电极电连接的所述预定位置上的元器件侧电极端子上的所述突起状电极比与所述预定位置不同的位置上的元器件侧电极端子上的所述突起状电极更高。2.按权利要求1所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极与所述多个元器件侧电极端子中的配置于与所述电子元器件的边角部相对应的位置上的元器件侧电极端子电连接。3.按权利要求1所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极包含面积互不相同的多种假电极， 进行电连接的假电极的面积越大，与所述假电极电连接的元器件侧电极端子上的所述突起状电极的高度越高。4.按权利要求3所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极包含: 第I假电极，该第I假电极与 第I元器件侧电极端子电连接，该第I元器件侧电极端子配置在与所述电子元器件的边角部相对应的位置上；以及 第2假电极，该第2假电极的面积比所述第I假电极小，并且与第2元器件侧电极端子电连接，该第2元器件侧电极端子与所述第I元器件侧电极端子相邻， 所述第I元器件侧电极端子上的所述突起状电极比所述第2元器件侧电极端子上的所述突起状电极更高。5.按权利要求1所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极形成于所述电子元器件的与配置有所述多个元器件侧电极端子的面不同的面上。6.按权利要求5所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极与所述多个元器件侧电极端子中的配置于与所述电子元器件的边角部相对应的位置上的元器件侧电极端子电连接。7.按权利要求6所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述多个元器件侧电极端子配置成矩阵状，所述假电极与配置有所述多个元器件侧电极端子的区域的中央部上的元器件侧电极端子电连接。8.按权利要求5所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极与电源端子连接。9.按权利要求5所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极与散热源连接。10.按权利要求1所述的电子元器件安装体，特征在于， 所述假电极形成于配置有所述多个元器件侧电极端子的面上且具有起到位置校正用识别标记的作用的形状。11.一种电子元器件安装体，在基板上安装有包括多个元器件侧电极端子的电子元器件，该基板包括与所述多个元器件侧电极端子相对应的多个基板侧电极端子，该电子元器件安装体的特征在于，包括: 多个突起状电极，该多个突起状电极分别形成于所述基板的所述多个基板侧电极端子上且与所述电子元器件及所述基板电连接；以及 假电极，该假电极形成于所述基板上且与所述多个基板侧电极端子中的预定位置上的基板侧电极端子电连接， 与所述假电极电连接的所述预定位置上的基板侧电极端子上的所述突起状电极比与所述预定位置不同的位置上的基板侧电极端子上的所述突起状电极更高。12.按权利要求11所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极与所述多个基板侧电极端子中的配置于与所述电子元器件的边角部相对应的位置上的基板侧电极端子电连接。13.按权利要求11所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极包含面积互不相同的多种假电极， 进行电连接的假电极的面积越大，与所述假电极电连接的基板侧电极端子上的所述突起状电极的高度越高。14.按权利要求13所述的电子元器件安装体，其特征在于， 所述假电极包含: 第I假电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井大辅，后川和也，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：