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本发明公开了一种制造一半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法。该方法首先制备一基板。接着，该方法形成一缓冲层于该基板上。然后，该方法形成一多层结构于该缓冲层上。该多层结构包含一作用区。该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成并且作为一...
该专利属于昆山中辰硅晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山中辰硅晶有限公司授权不得商用。

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