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本发明公开了一种具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法。根据本发明的硅晶圆包含一硅切片及一第一杂质捕集区域。该硅切片具有一第一表面。该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且通过在该硅切片的该第一表面之上的一处理形成。...
该专利属于昆山中辰硅晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山中辰硅晶有限公司授权不得商用。

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