【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
发光二极管是利用半导体材料中的电子与空穴结合时能量带位阶的改 变，以发光的形式释放出能量。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动 电压低、反映速度快、耐震性佳等优点，已应用在广告板、交通标志、日常 照明等各种应用领域中。通常，发光二极管包括一发光芯片及一 包覆于该发光芯片外围的具有一 定机械强度的封装体。通电时，该发光芯片发出光，该光通过发光芯片外围 的封装体向外照射，从而达到照明的目的。由此可知，封装体对发光二极管 的发光效果有非常大的影响。而由于发光二极管的发光芯片具有较小的发光 点，通常使得发光二极管的光强较为集中，靠近发光点的部分光强较强，远 离发光点的部分光强较弱，而使得该发光二极管的光线分布不均而限制其应 用范围，因此，提高发光二极管所发出的光的均匀度也就显得尤为重要。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种具有较高均匀度的。 一种发光二极管，包括一基座、装设于基座上的一发光芯片及保护该发 光芯片的一封装单元，该封装单元包括一靠近该发光芯片的第一封装体及位 于第 一封装体外围的第二封装体，该第 一封装体内嵌设有若干具有第...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括一基座、装设于基座上的一发光芯片及保护该发光芯片的一封装单元，其特征在于：该封装单元包括一靠近该发光芯片的第一封装体及位于第一封装体外围的第二封装体，该第一封装体内嵌设有若干具有第一分布密度的颗粒，该第二封装体内嵌设有若干具有第二分布密度的颗粒，该第一分布密度大于第二分布密度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张家寿，
申请(专利权)人：富准精密工业深圳有限公司，鸿准精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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