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本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明的半导体发光元件包含一基板、一缓冲层、一多层结构及一欧姆电极结构。该缓冲层是选择性地形成于该基板的一上表面上，并使该基板的该上表面部分外露。该多层结构是形成以覆盖该缓冲层及该基板的外露的...
该专利属于昆山中辰硅晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山中辰硅晶有限公司授权不得商用。

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