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本发明公开了一种供一半导体光电元件磊晶用的半导体基板及其制造方法。根据本发明的半导体基板包含一基板及一氮化物缓冲层。该氮化物缓冲层由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程或一电浆辅助原子层沉积制程形成于该基板的一上表面上。该氮化物缓冲层...
该专利属于昆山中辰硅晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山中辰硅晶有限公司授权不得商用。

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