【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种基于碳纳米管的 。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT )是现代孩i电子技术中的一种关 键性电子元件，目前已经被广泛的应用于平板显示器等领域。薄膜晶体管主 要包括栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极。其中，源才及和漏极间隔设置 并与半导体层电连接，栅极通过绝缘层与半导体层及源极和漏极间隔绝缘设置。所述半导体层位于所述源极和漏极之间的区域形成一沟道区域。薄膜晶 体管中的栅极、源极、漏极均由导电材料构成，该导电材料一般为金属或合 金。当在栅极上施加一电压时，与栅极通过绝缘层间隔设置的半导体层中的 沟道区域会积累载流子，当载流子积累到一定程度，与半导体层电连接的源 极漏极之间将导通，从而有电流从源极流向漏才及。在实际应用中，对薄膜晶 体管的要求是希望得到较大的开关电流比。影响上述开关电流比的因素除薄 膜晶体管的制备工艺外，薄膜晶体管半导体层中半导体材料的载流子迁移率 为影响开关电流比的最重要的影响因素之一。现有技术中，薄膜晶体管中形成半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或有 机半导体聚合物等(R. E. I...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤： 制备一碳纳米管原料； 将上述碳纳米管原料添加到溶剂中并进行絮化处理获得一碳纳米管絮状结构； 将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理获得一碳纳米管薄膜；铺设上述碳纳米管薄膜于一绝缘基底表面，形成一碳纳米管层； 间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与上述碳纳米管层电连接； 形成一绝缘层于上述碳纳米管层表面；以及 形成一栅极于上述绝缘层表面，得到一薄膜晶体管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘长洪，姜开利，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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