ＣｏｏｌＭＯＳ结构中纵向Ｐ型区的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣｏｏｌＭＯＳ结构中纵向Ｐ型区的形成方法，通过在Ｎ型外延上开深沟槽，然后再利用外延工艺在沟槽内生长出Ｐ型单晶硅形成在Ｎ型外延上的Ｐ型区域，然后通过回刻工艺将槽内生长的Ｐ型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐，以形成ＣｏｏｌＭＯＳ的纵向Ｐ型区域。该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法，具体涉及一种CoolM0S( —种高压M0S场效应晶体管)的制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
CoolMOS是一种新型的高压MOSFET (MOS场效应晶体管)结构，其优点在于该器件在耐高压工作的同时可以提供比传统高压MOSFET小一个数量级的导通电阻。 CoolMOS的特征结构是在于在N型外延区引入了很多从外延顶部延伸到沉底区的P型区域，导致MOS管在高压工作状态下除了产生纵向的从漏极到源极的电场外，还有由于横向的PN区出现的横向电场。在不同方向上电场的共同作用下导致电场在横向和纵向上的均匀分布，从而实现在低电阻率外延片上制成高耐压MOS管。 CoolMOS的N型外延上的P型区的形成有多种方法，通常的方法是在外延生长过程中采用多次扩散的方法来实现，包括如下工艺步骤 步骤1 ，如图1所示，外延生长后，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火； 步骤2，如图2所示，再一次外延生长，通过光刻胶定义出P区，然后进行P型注入退火； 步骤3，如图3所示，多次重复上述步骤达到所需外延厚度，同时完成纵向P区的形成。 步骤4，如图4所示，栅二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣｏｏｌＭＯＳ结构中纵向Ｐ型区的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在硅衬底上一次性生长Ｎ型外延；（２）在Ｎ型外延上生长一层二氧化硅膜，然后在Ｎ型外延上选定要生长Ｐ型区的部分开深沟槽；（３）在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长Ｐ型外延硅用以填充深沟槽；（４）用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的外延硅，并将深沟槽内的Ｐ型外延刻蚀到接近Ｎ型外延表面；（５）去除二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区，最终形成ＣｏｏｌＭＯＳ的纵向Ｐ型区外延结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]