判断哪个光刻工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法技术

本发明专利技术公开了一种判断哪个光刻工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法，包括：１）取试验硅片，选取任一个低良率的曝光面积为对象，进行其中一个具体光刻工序的试验，在进行光刻曝光之前，使原曝光面积向任意方向偏移整数个芯片的位置形成新的曝光面积，形成与原曝光面积的一个布局差；２）在相同条件下对所述新的曝光面积进行曝光显影，之后并进行良率测定；３）比较新曝光面积的良率和原曝光面积的良率损失的一致性，如两个良率的损失是一致的，则判定为由该特定光刻工序造成的低良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种判断哪一光刻工艺工序造成低良率的方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，光刻工艺是十分重要的一道工艺。完成一个完整的芯片需要很多道光刻。而因硅片尺寸在不断变大，光刻工艺中的曝光通常是以曝光面积为单位进行的，将一整个硅片中多个相邻的芯片作为一个曝光面积(英文为shot)，以此曝光面积为单元依次曝光已完成整个硅片上全部图形的定义。而在实际的工艺工程中，时常会发生一些原因不明的以曝光面积为单位的低良率或者是电性参数不良等情况，因在制备中需要进行很多道光刻工序，故单单从低良率或是电性的参数上面来看，却难以确定是哪一道特定的光刻工序造成的低良率问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种判断哪一道光刻工艺工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法，其能通过简单的步骤判断出具体的造成低良率的光刻工序。 为解决上述技术问题，本专利技术的，包括如下步骤 1)取试验硅片，选取任一个低良率的曝光面积为对象，进行其中一个具体光刻工序的试验，在进行光刻曝光之前，使原曝光面积向任意方向偏移整数个芯片的位置形成新的曝光面积； 2)在相同条件下对所述新的曝光面积进行曝光显影，之后进行良本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种判断哪个光刻工序造成以曝光面积为单位的低良率的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）取试验硅片，选取任一个低良率的曝光面积为对象，进行其中一个具体光刻工序的试验，在进行光刻曝光之前，使原曝光面积向任意方向偏移整数个芯片的位置形成新的曝光面积；２）在相同条件下对所述新的曝光面积进行曝光显影，之后进行良率测定；３）比较新的曝光面积的良率损失和原曝光面积的良率损失是否一致，如两个良率损失一致，则可以判定为是由该特定光刻工序造成的低良率问题；如果新曝光面积的良率损失与原曝光面积的良率损失的不一致则说明，良率损失与该层光刻工序无关联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董英毅，洪雪辉，邵红光，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]