具有对焦机构的直写光刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及光刻技术领域，解决了直写光刻装置存在的光学定位检测系统和曝光投影系统离轴对焦对不同镜头需要分别位移校正的问题。特点在于：在光学集光器和可编程的图形发生器之间增设对焦系统；其中对焦光学波长分束器位于光学集光器和可编程的图形发生器之间，对焦光学集光器和对焦光源依次位于对焦光学波长分束器上方。直接利用可变倍率的投影镜头来共轴投射对焦图形，实现不同镜头的共轴对焦，避免了离轴对焦对不同镜头所需要的分别位移校正过程，提高效率，同时减小了离轴对焦装置的成本。实现了对于投影镜头转换过程引起的焦平面变化的实时校正，并且实现了对晶片上已有图形的实时对位检测。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光刻
，具体地说，涉及在晶片、印刷电路板、掩膜板、平 板显示器、生物晶片、微机械电子晶片、光学玻璃平板等衬底上印刷构图的直写光刻装 置。
技术介绍
光刻技术是用于在衬底表面上印刷具有特征的构图。这样的衬底可包括用于制造半 导体器件、多种集成电路、平面显示器(例如液晶显示器)、电路板、生物芯片、微机 械电子芯片、光电子线路芯片等的基片。经常使用的基片为半导体晶片或玻璃基片。在光刻过程中，晶片放置在晶片台上，通过处在光刻设备内的曝光装置，将特征构 图投射到晶片表面。尽管在光刻过程中使用了投影光学装置，还可依据具体应用，使用不同的类型曝光装置。例如x射线、离子、电子或光子光刻的不同曝光装置，这已为本领域技术人员所熟知。半导体行业使用的传统分步重复式或分步扫描式光刻工具，将分划板的特征构图在 各个场一次性的投影或扫描到晶片上， 一次曝光或扫描一个场。然后通过移动晶片来对 下一个场进行重复性的曝光过程。传统的光刻系统通过重复性曝光或扫描过程，实现高 产出额的精确特征构图的印刷。为了在晶片上制造器件，需要多个分划板。由于特征尺寸的减少以及对于较小特征 尺寸的精确公差需求的原因，本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有对焦机构的直写光刻装置，包括光源、光学集光系统、投影光学系统、镜头转换机构和光学定位检测系统；其中，光学集光系统包括光学集光器和可编程的图形发生器，光源与光学集光器对应；投影光学系统包括透镜、或透镜组和两个以上的投影镜头，透镜、或透镜组对应位于可编程的图形发生器下方，两个以上的投影镜头位于镜头转换器上；光学定位检测系统包括光敏感探测器和检测透镜，检测透镜通过光学波长分束器与投影镜头对应；其特征在于：　　　　在光学集光器和可编程的图形发生器之间设有对焦系统；　　　　所述对焦系统包括对焦光源、对焦光学集光器和对焦光学波长分束器，其中对焦光学波长分束器位于光学集光器和可编程的图形发生器之间，对焦...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文海，
申请(专利权)人：芯硕半导体合肥有限公司，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]