具有多晶硅化物的表面沟道ＰＭＯＳ器件制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种具有多晶硅化物的表面沟道ＰＭＯＳ器件制作工艺，包括：第１步，在Ｐ型硅衬底上掺杂Ｎ型杂质，形成Ｎ型沟道；第２步，在硅片表面淀积一层氧化氮化硅；第３步，在硅片表面淀积一层多晶硅，在该层多晶硅的栅极区域掺杂Ｐ型杂质，形成Ｐ型多晶硅；第４步，在硅片表面形成多晶硅化物；第５步，刻蚀除栅极区域外的多晶硅化物、Ｐ型多晶硅和氧化氮化硅，直至露出Ｎ型沟道；第６步，在硅片表面淀积一层氮化硅，反刻该层氮化硅直至露出Ｎ型沟道，在Ｐ型多晶硅的侧墙上留有部分氮化硅侧墙；第７步，对硅片进行Ｐ型杂质的离子注入，形成ＰＭＯＳ器件的源区、漏区。本发明专利技术制作的表面沟道ＰＭＯＳ器件可以在较低阈值电压下实现低漏电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制作工艺，特别是涉及一种PMOS器件的制作工艺。
技术介绍
0.35iim及以上尺寸的半导体集成电路中，MOS器件的多晶硅栅上通常采用多晶 硅化物(polycide)覆盖。多晶硅化物是难熔金属和多晶硅反应形成的，难熔金属包括钴、 钼、钼、钽、钛、钨等。多晶硅化物在形成过程中，会减少残留在硅表面的氧化硅，从而减小多 晶硅栅极的接触电阻。 多晶硅化物覆盖在多晶硅栅上，其致密的特性使得在MOS器件的源漏注入时，离 子无法注入到多晶硅栅。这样对多晶硅栅的掺杂只能在淀积多晶硅时进行在位掺杂或者等 淀积完多晶硅后进行全面注入。通常NMOS器件和PMOS器件的栅都是N型硅，为兼顾NMOS 器件，在位掺杂或全面注入的只能是N型杂质。这样在制作PMOS器件时，为了满足PMOS阈 值电压的要求，PMOS只能做成埋沟(buried channel)器件，即在N型沟道内掺杂一层P型 埋沟。埋沟器件最大的缺点是必须有较高的阈值电压才能够拥有较低的漏电流。现在的半 导体集成电路工艺要求PMOS器件必须同时具有低阈值电压和低漏电流，因此埋沟器件必 然要被表面沟道器件所替代。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多晶硅化物的表面沟道ＰＭＯＳ器件制作工艺，其特征是：该工艺包括如下步骤：第１步，在Ｐ型硅衬底上（１）掺杂Ｎ型杂质，形成Ｎ型沟道（２）；第２步，在硅片表面淀积一层氧化氮化硅（３）；第３步，在硅片表面淀积一层多晶硅，对该层多晶硅进行Ｐ型杂质的离子注入，形成Ｐ型多晶硅（４）；第４步，在硅片表面形成多晶硅化物（５）；第５步，刻蚀除栅极区域外的多晶硅化物（５）、Ｐ型多晶硅（４）和氧化氮化硅（３），直至露出Ｎ型沟道（２），形成Ｐ型多晶硅栅极（４１）；第６步，在硅片表面淀积一层氮化硅（６），反刻该层氮化硅（６）直至露出Ｎ型沟道（２），在栅极（４１）两侧留下氮化硅侧墙（６）；第７步，对硅片进行Ｐ型杂质...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]