A method of manufacturing a transistor, which comprises the following steps: providing a semiconductor substrate; making the surface of the semiconductor substrate into the barrier layer, the definition of the source and drain regions; the doping ion and carbon ion implantation in the semiconductor substrate and the source and drain regions on a semiconductor substrate; for annealing. The advantage of the invention is that the carrier mobility of the source and drain can be increased, thereby increasing the saturation current of transistors, such as MOSFET.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造方法，尤其涉及提高导电沟道中的载流子迁移 率，从而提高晶体管饱和电流值的晶体管制造方法。
技术介绍
晶体管，尤其是"金属-半导体-氧化物"场效应晶体管(MOSFET)，是集 成电路中最常见的元件之一。饱和电流值是衡量MOSFET性能的重要指标。 饱和电流值越高表明MOSFET的驱动能力越强。现有技术中，通过在半导体衬底中引入应力材料来提高导电沟道的载流子 迁移率，是一种可以提高晶体管饱和电流值的有效方法。例如，对于典型的 MOSFET结构，构成饱和电流的载流子是从MOSFET的源极或者漏极出发经 过导电沟道进入漏极或者源极，提高导电沟道的载流子迁移率相当于降低了载 流子流经路径上的电阻，因此可以提高MOSFET的饱和电流。申请号为 US6492216的美国专利中揭露的一种MOSFET的制造方法，在MOSFET的制 作过程中，外延生长一层由硅、锗和碳构成的具有应力的化合物材料，用这种 材料作为导电沟道，可以提高导电沟道中的载流子迁移率，达到提高MOSFET 饱和电流值的目的。在现有技术中，普遍采用的方法是在半导体衬底表面生长具有应力的材料...
【技术保护点】
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体衬底； 在半导体衬底表面制作注入阻挡层，界定源极和漏极区域； 将掺杂离子和碳离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域； 对半导体衬底进行退火处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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