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一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面制作注入阻挡层，界定源极和漏极区域；将掺杂离子和碳离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域；对半导体衬底进行退火处理。本发明的优点在于可以提高源极和漏极的载流子迁移率，从而提高...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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