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本发明公开了一种具有多晶硅化物的表面沟道ＰＭＯＳ器件制作工艺，包括：第１步，在Ｐ型硅衬底上掺杂Ｎ型杂质，形成Ｎ型沟道；第２步，在硅片表面淀积一层氧化氮化硅；第３步，在硅片表面淀积一层多晶硅，在该层多晶硅的栅极区域掺杂Ｐ型杂质，形成Ｐ型多晶硅...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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