立方半导体封装制造技术

本发明专利技术提供了一种立方半导体封装。立方半导体封装包括一个或多个堆叠一起且互相连接的半导体芯片模块。立方半导体封装包括半导体芯片模块和连接构件。半导体芯片模块包括具有第一、第二表面、侧表面、焊垫的半导体芯片、穿通电极、以及重配置线。第二表面与第一表面相反并隔开。侧表面连接第一和第二表面。焊垫设置在第一表面上。穿通电极穿过第一和第二表面。重配置线设置在第一和第二表面的至少一个上，电连接到穿通电极和焊垫，并且具有与侧表面齐平的端部。连接构件设置在侧表面上，并且与重配置线的端部电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种立方半导体封装，其包括以立方形式连接的多个半导体封装，以增加数据存储容量并提高数据处理速度。
技术介绍
半导体芯片能够存储大量数据并且能够迅速处理数据。半导体封装已经被广泛地 应用于各种信息处理单元(诸如计算机)中并用于存储和处理数据。 近年来，人们致力于提供具有安装在印刷电路板上并堆叠在一起的至少两个半导 体封装的堆叠半导体封装，以增加数据存储容量并提高数据处理速度。 然而，在该具有大量彼此堆叠的半导体封装的堆叠半导体封装中，堆叠半导体封 装的厚度显著增加。由于堆叠半导体封装的厚度增加，信号传输路径的长度改变，使得难以 以相对较高速度进行处理数据。
技术实现思路
本专利技术的实施例包括立方半导体封装，在该立方半导体封装中，半导体封装以立 方形式的构造或类似块组装的形式而相互电连接，从而能够增加数据存储容量并提高数据 处理速度。 在本专利技术的一个方面中，立方半导体封装包括半导体芯片模块和连接构件。该半导体芯片模块包括半导体芯片，具有第一表面、与第一表面相反且隔开的第二表面、连接第一和第二表面的侧表面、以及置于第一表面上的焊垫；穿通电极，穿过第一和第二表面；以及重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种立方半导体封装，包括：第一半导体芯片模块，包括：第一半导体芯片，包括：焊垫，设置在第一表面上；穿通电极，穿过所述半导体芯片的所述第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；及重配置线，设置于所述第一表面和所述第二表面的至少一个上，所述重配置线电耦接到所述穿通电极和所述焊垫，其中所述重配置线的端部与连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面齐平；以及设置于所述侧表面上的连接构件，电耦接到所述重配置线。

【技术特征摘要】
KR 2009-1-23 6134/09一种立方半导体封装，包括第一半导体芯片模块，包括第一半导体芯片，包括焊垫，设置在第一表面上；穿通电极，穿过所述半导体芯片的所述第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；及重配置线，设置于所述第一表面和所述第二表面的至少一个上，所述重配置线电耦接到所述穿通电极和所述焊垫，其中所述重配置线的端部与连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面齐平；以及设置于所述侧表面上的连接构件，电耦接到所述重配置线。2. 如权利要求1所述的立方半导体封装，其中所述重配置线包括延伸部，该延伸部从 所述第一表面延伸至所述侧表面的至少一个。3. 如权利要求1所述的立方半导体封装，其中所述连接构件包括导电球。4. 如权利要求1所述的立方半导体封装，还包括粘结构件，覆盖所述重配置线并具有 限定在其中的用于暴露所述穿通电极的开口。5. 如权利要求1所述的立方半导体封装，还包括堆叠在所述第一半导体芯片模块上的 第二半导体芯片模块，所述第一半导体芯片模块和所述第二半导体芯片模块通过所述穿通 电极而相互电耦接。6. 如权利要求5所述的立方半导体封装，其中导电球耦接到所述第一半导体芯片模块 或所述第二半导体芯片模块的至少一个的穿通电极的端部。7. 如权利要求5所述的立方半导体封装，其中所述第一半导体芯片模块和所述第二半 导体芯片模块具有基本上相同的尺寸和相同的形状。8. 如权利要求5所述的立方半导体封装，其中所述第一半导体芯片模块具有第一尺 寸，所述第二水平半导体芯片模块具有与所述第一尺寸不同的第二尺寸，其中所述第一水 平半导体芯片模块和所述第二水平半导体芯片模块的至少一个侧表面基本上相互齐平。9. 如权利要求5所述的立方半导体封装，还包括第三半导体芯片模块，沿着所述第一半导体芯片模块和所述第二半导体芯片模块的侧 表面设置，使得所述第三半导体芯片模块与所述第一半导体芯片模块和所述第二水平半导 体芯片模块基本上垂直，所述第三半导体芯片模块包括焊垫；以及穿通电极，沿第二方向穿过所述第三半导体芯片模块，其中所述第三半导体芯片模块 电耦接到所述第一半导体芯片模块和所述第二半导体芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐敏硕，李升铉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]