【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示范性实施例涉及一种制造非易失性存储器件的方法，更具体地，涉及 具有三维结构和垂直沟道结构的非易失性存储器件。
技术介绍
非易失性存储器件即使在电源中断后也仍能保留数据。因为提高具有二维结构的 存储器件(其中存储器单元以单层布置在硅衬底上)的集成度变得越来越困难，已经提出 了具有三维结构的非易失性存储器件，其中存储器单元垂直堆叠在硅衬底上。下面将参照图IA到图IC详细描述制造具有三维结构的传统非易失性存储器件的 方法。图IA到图IC是示出制造具有三维结构的传统非易失性存储器件的方法的截面 图。具体地，图IA到图IC示出了制造具有单元串垂直布置在衬底上的三维结构的非易失 性存储器件的方法。为了方便起见，图IA到图IC集中在形成多个存储器单元的工艺上，而 没有示出下选择晶体管和上选择晶体管。参照图1A，多个层间电介质层11和用于栅极电极的多个导电层12交替形成在衬 底10上，在衬底10中形成有所需的下部结构，例如源极线和下选择晶体管。层间电介质层 11和用于栅极电极的导电层12被选择性蚀刻以形成暴露衬底10的表面的沟槽(trench)。 第一材料层13形...
【技术保护点】
一种非易失性存储器件的制造方法，该方法包括：在衬底上交替堆叠多个层间电介质层和多个导电层；蚀刻所述层间电介质层和所述导电层以形成暴露所述衬底的表面的沟槽；在所得到的形成有所述沟槽的结构上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成第二材料层；去除所述第二材料层和所述第一材料层形成在所述沟槽的底部上的部分以暴露所述衬底的表面；去除所述第二材料层；以及用沟道层填充已去除所述第二材料层的所述沟槽。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林世润，崔殷硕，李永昱，崔源峻，李起洪，李相范，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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