对非易失性存储设备进行编程的方法技术

本发明专利技术涉及对非易失性存储设备进行编程的方法。根据所述对非易失性存储设备进行编程的方法，通过向第一页施加编程脉冲来对该第一页进行编程操作。通过向所述第一页施加验证电压来对所述编程操作进行验证操作。如果针对所述第一页的编程操作未完成，则将从所述第一页的阈值电压中选择的电压设定为最高阈值电压。通过在增大编程脉冲的电压电平的同时对所述第一页重复地进行编程操作及验证操作来完成针对所述第一页的编程操作。将针对所述第一页的编程起动电压与所述验证电压和所述最高阈值电压之间的差的总和设定为针对第二页的编程起动电压。

【技术实现步骤摘要】

—个或更多个实施例涉及。
技术介绍
近来，对能够被电编程及电擦除的、并且不需要以特定时间段重写数据的刷新功 能的非易失性存储设备的需求日益增长。 非易失性存储单元通过在施加到薄氧化层上的相对强的电场使电子迁移时的阈值电压变化，而使得电编程/擦除操作可行，并进行编程操作及擦除操作。 非易失性存储设备通常包括存储单元阵列，其中以矩阵形式布置有用于存储数据的单元；以及页面缓存器，其用于将数据写入到存储单元阵列中的特定单元中，或读取存储在存储单元阵列中的特定单元中的数据。页面缓存器包括位线对，其连接到特定存储单元；寄存器，其用于对要被写入到存储单元阵列中的数据进行暂时的存储，或从存储单元阵列中读取特定单元中的数据并对所读取的数据进行暂时的存储；感测节点，其用于对特定位线或特定寄存器的电压电平进行检测；位线选择单元，其用于控制是否将特定位线连接到感测节点。 已经知道，非易失性存储设备的编程速度随着编程/擦除周期的数量的增加而增大。这是因为，随着编程/擦除周期的数量的增加，在每个存储单元的浮栅处俘获的电荷增加，因此每个单元的阈值电压增大。因此，尽管使用步增脉冲编程(ISPP)方法来向单元施加相对小的编程脉冲，但是可以将单元编程成具有目标阈值电压或更大的电压。 可以考虑在ISPP方法中设定并施加低编程起动电压的方法。如果在编程/擦除周期的数量相对小时使用这种方法，则用于对操作进行编程的时间增加。这是因为，在较低的编程起动电压的情况下，要施加的脉冲的数量增加。
技术实现思路
—个或更多个实施例旨在提供一种，该方法 能够取决于编程/擦除周期的数量的增加来可变地设定编程起动电压。 —个或更多个实施例旨在提供一种，该方法 包括通过向第一页施加编程脉冲来对该第一页进行编程操作；通过向所述第一页施加验 证电压来对所述编程操作进行验证操作；如果作为所述验证操作的结果针对所述第一页的 编程操作未完成，则将从所述第一页的阈值电压中选择的电压设定为最高阈值电压；通过 在增大所述编程脉冲的电压电平的同时对所述第一页重复地进行编程操作及验证操作来 完成针对所述第一页的编程操作；将针对所述第一页的编程起动电压与所述验证电压和所述最高阈值电压之间的差的总和设定为针对第二页的编程起动电压；以及基于所设定的针 对所述第二页的编程起动电压来进行针对所述第二页的编程操作。 —个或更多个实施例旨在提供一种，该方法 通过施加伪编程脉冲来对由编程/擦除周期的数量的增加而引起的编程速度的增大进行 补偿，该方法包括通过向第一页施加编程脉冲来对该第一页进行编程操作；通过向所述 第一页施加验证电压来对所述编程操作进行验证操作；如果作为所述验证操作的结果针对 所述第一页的编程操作未完成，则将从所述第一页的阈值电压中选择的电压设定为最高阈 值电压；通过在增大所述编程脉冲的电压电平的同时对所述第一页重复地进行编程操作及 验证操作来完成针对所述第一页的编程操作；将针对所述第一页的编程起动电压与所述验 证电压和所述最高阈值电压之间的差的总和设定为针对第二页的编程起动电压；以及基于 所设定的针对所述第二页的编程起动电压来进行针对所述第二页的编程操作。附图说明 图1是示出根据实施例的非易失性存储设备的总体构造的图； 图2是示出取决于在已知的非易失性存储设备中进行的编程/擦除周期的数量的增加的、阈值电压的改变的图； 图3是示出对非易失性存储设备进行编程的已知方法的概念的图； 图4是示出根据实施例的对非易失性存储设备进行编程的示例性方法的流程以及 图5是示出根据实施例的中设定最高阈值 电压的示例性方法的概念的图。具体实施例方式下文中将参照附图、结合一个或更多个实施例来对本公开内容进行详细的描述。提供附图以使本领域普通技术人员可以理解本公开内容的一个或更多个实施例的范围。图1是示出根据示例性实施例的非易失性存储设备的整体构造的图。 非易失性存储设备100包括存储单元阵列102、页面缓存器108、X解码器104及Y解码器106、高电压发生器110、命令接口逻辑单元112、命令寄存器114、地址寄存器/计数器116、数据寄存器118及10缓存单元120。下面对非易失性存储设备的操作进行描述。 首先，在命令接口逻辑单元112的片选使能信号/CE被禁用并且写入使能信号/WE被触发时，命令接口逻辑单元112通过10缓存单元120及命令寄存器114来接收命令信号，并根据命令来生成编程命令、擦除命令、读取命令等。此处，命令信号包括用于确定非易失性存储设备的操作模式的页面编程设置码。 同时，将从命令接口逻辑单元112输出的操作状态信号/R/B禁用达某一时间段。 外部存储控制器(未示出)接收操作状态信号/R/B，并且非易失性存储设备检测操作状态 (例如，编程操作、擦除操作或读取操作)。即，在操作状态信号/R/B被禁用的同时，进行针 对存储单元阵列中的一页的编程操作、擦除操作或读取操作。 地址寄存器/计数器116经由10缓存单元120来接收地址信号，并生成行地址信 号及列地址信号。地址信号与多页中的一页相对应，其中每页包括多个存储单元。数据寄5存器118对经由10缓存单元120而接收到的各种数据进行暂时的存储，并将该数据传送给 Y解码器106。 高电压发生器110响应于编程命令、擦除命令或读取命令而产生偏置电压，并将 该偏置电压提供给页面缓存器108、X解码器104等。 X解码器104响应于行地址信号而将从高电压发生器110接收到的偏置电压提供 给存储单元阵列102(即，多个存储单元阵列中的一个存储单元阵列)。Y解码器106响应 于列地址信号，通过页面缓存器来向由存储单元阵列的块所共用的位线(未示出)提供数 据信号。 页面缓存器108将经由10缓存单元120及Y解码器106而接收到的数据信号锁存，并将该数据信号输出给由存储单元阵列的块所共用的位线(未示出)。 图2是示出取决于已知的非易失性存储设备中的编程/擦除周期的数量的增加的、阈值电压的改变的图。 如图2所示，随着编程/擦除周期的数量的增加，编程状态的阈值电压及擦除状态 的阈值电压增大。这是因为，随着对存储单元进行的编程/擦除周期的数量的增加，在非易 失性存储单元的浮栅处俘获的电荷增加，因此即使对于擦除状态，阈值电压也增大。结果， 尽管施加相同的编程脉冲，但是随着对存储单元进行的编程/擦除周期的数量的增加，阈 值电压的改变进一步增大。阈值电压的改变与编程速度有关。即，在施加相同的编程脉冲 时，如果阈值电压的改变大，则认为编程速度快。 从图2中可以看到，在对存储单元进行的编程/擦除周期的数量为10K时的编程 状态的阈值电压高于在编程/擦除周期的数量为10时的编程状态的阈值电压。即使在擦 除状态也是相同的情况。使用了一种对取决于编程/擦除周期的数量的、编程速度的改变 进行补偿的编程方法。 图3是示出对非易失性存储设备进行编程的已知方法的概念的图。 如图3所示，使用ISPP方法来进行编程操作。更详细地说，在施加编程脉冲之后，进行验证操作。每次重复地进行验证操作时，通过使编程电压增大步长电压(Vst印)来重复地进行编程操作。此处，考虑到编程速度取决于编程/擦除周期的数量而改变，增加了施加伪编程脉冲的时间段。 在编程/擦除周期的数量为1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包括：通过向第一页施加编程脉冲来对该第一页进行编程操作；通过向所述第一页施加验证电压来对所述编程操作进行验证操作；如果作为所述验证操作的结果针对所述第一页的编程操作尚未完成，则将从所述第一页的阈值电压中选择的电压设定为最高阈值电压；通过在增大所述编程脉冲的电压电平的同时对所述第一页重复地进行编程操作及验证操作来完成针对所述第一页的编程操作；将针对所述第一页的编程起动电压与所述验证电压和所述最高阈值电压之间的差的总和设定为针对第二页的编程起动电压；以及基于所设定的针对所述第二页的编程起动电压来进行针对所述第二页的编程操作。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金志桓，朴成济，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]