ＢＣＤ工艺中自对准沟道的ＤＭＯＳ的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＢＣＤ工艺中自对准沟道的ＤＭＯＳ的制备方法，其采用先光刻刻蚀完成低压区的工艺，接着淀积氧化沉淀层，而后光刻刻蚀完成高压区的工艺，离子注入形成第一注入区和第二注入区，从而避免面内产生的光刻胶涂布不均一性的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种B⑶工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法。
技术介绍
B⑶(Bipolar CMOS)工艺通常为集成有高压器件、低压器件和双极性晶体管这三 种器件的制备。目前的BCD工艺中，对于自对准沟道SAC (selfalignment channel) DMOS (字 母D形MOS管)的制作工艺，一直是采用先进行高压器件的注入，后进行低压器件的注入。 其制作工艺流程为(见图1)1)在多晶硅淀积完成后，利用光刻工艺定义出高压区(高压器件区域)的第一注 入区位置(见图la，图中STI区为浅沟槽隔离区域)；2)刻蚀第一注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第一次注入 区(见图lb)；3)去除光刻胶，后利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区位置(见图Ic)；4)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二次注入 区(见图Id)；5)去除光刻胶，后利用光刻工艺定义出低压区(低压器件区域)源漏注入区的位 置(即第三注入区，见图Ie)；6)刻蚀第三注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后去除光刻胶(见图If)；7)重新利用光刻工艺定义出低压区源漏注入区的位置(见图Ig)；8)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区(见图Ih)；上述工艺流程的缺点在于由于高压区的⑶(critical dimension，工艺中所要达 到的最小尺寸)与低压区的CD相比大很多，因此做完高压区的工艺之后，再做低压区的光 刻胶涂布和光刻，会产生面内的不均一性(因为光刻胶在大片的空旷区域和密集的线宽区 域，实际的光刻胶厚度不同)。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，其能避免 面内产生光刻胶涂布不均一性的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的B⑶工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，包括 如下步骤1)在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；2)刻蚀位于所述源漏注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后去除光刻胶；3)在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层；4)利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区的位置；5)刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一 注入区；6)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区的位置；7)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入 区；8)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；9)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区。利用本专利技术的制备方法，先制备低压器件区域的，并采用氧化衬垫层以防止注入 损伤衬底，后制备高压器件，这样因为低压器件的线宽小，间隙小，而高压器件的线宽大，间 隙大，最终使光刻胶涂布的均一性得到改善。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1为与现有工艺中实施步骤相应的截面结构示意图；图2为本专利技术的制备方法流程示意图；图3为与本专利技术的制备方法相应的截面结构示意图。具体实施例方式本专利技术的B⑶工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，包括如下步骤(见图2)1)在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺(涂光刻胶，而后采用光刻掩膜版进行 光刻，之后显影即形成光刻胶图形)定义出低压区的源漏注入区的位置，使光刻后位于源 漏注入区的多晶硅暴露出来，而其它位置被光刻胶所覆盖(见图3a)；2)刻蚀位于源漏注入区的位置处(也即图3i中所示的第三注入区的位置)的多 晶硅至硅衬底表面，之后去除剩余的光刻胶(见图3b)； 3)在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层，使多晶硅上及暴露出的硅衬底表面均为 氧化层所覆盖(见图3c)，氧化衬垫层的淀积可采用化学气相淀积(CVD)工艺，厚度范围为 1 埃-10000 埃；4)再次利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区(一般为P型DMOS的源漏区) 的位置(见图3d)；5)刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一 注入区(见图3e)；6)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区(一般为N 型DMOS的源漏区)的位置(见图3f)；7)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入区 (见图3g)；8)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置(见 图 3h)；9)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区，即为图3i中所述的第三注入 区。最后去除光刻胶和氧化衬垫层。权利要求一种BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤1)在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；2)刻蚀位于所述源漏注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后去除光刻胶；3)在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层；4)利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区的位置；5)刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一注入区；6)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区的位置；7)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入区；8)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；9)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区。2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述步骤三中氧化衬垫层的淀积方 法为化学气相淀积法，氧化衬垫层的厚度范围为1埃-10000埃。全文摘要本专利技术公开了一种BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，其采用先光刻刻蚀完成低压区的工艺，接着淀积氧化沉淀层，而后光刻刻蚀完成高压区的工艺，离子注入形成第一注入区和第二注入区，从而避免面内产生的光刻胶涂布不均一性的问题。文档编号H01L21/316GK101930945SQ20091005745公开日2010年12月29日 申请日期2009年6月18日 优先权日2009年6月18日专利技术者陈福成 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＢＣＤ工艺中自对准沟道的ＤＭＯＳ的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：１）在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；２）刻蚀位于所述源漏注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后去除光刻胶；３）在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层；４）利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区的位置；５）刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一注入区；６）去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区的位置；７）刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入区；８）去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；９）进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]