非易失性存储装置的编程方法制造方法及图纸

一种非易失性存储装置的编程方法，该方法可以通过防止编程不足检验电压的下降来解决编程不足问题，并对操作进行检验。根据本发明专利技术的一方面，对所选择的存储单元块进行编程操作。对充电给包括在未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进行放电。对所选择的存储单元块进行检验操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对非易失性存储装置进行编程的方法。
技术介绍
近年来，对可以被电编程和电擦除并且不需要以特定间隔改写数据的 刷新功能的非易失性存储装置的需求日益增加。非易失性存储单元是能够进行电编程/擦除操作的元件，并且被配置电压、来进行编程和擦除操作。非易失性存储装置一般包括存储单元阵列，其中，用于存储数据的单 元被排列成矩阵形式，并包括页緩冲区，用于将存储器写入存储单元阵列 的特定单元中、或读M储在特定单元中的存储器。页緩冲区包括连接至 特定存储单元的位线对和寄存器，该寄存器用于暂时存储要被写入存储单 元阵列中的数据，或M储单元阵列读取特定单元的数据并将读取的数据 暂时存储在其中。页緩冲区还包括传感节点，用于对特定位线或特定寄存 器的电压电平进行感测，和位线选择单元，用于控制是否将特定位线连接 至传感节点。在这种非易失性存储装置的编程和检验操作中，因为由未进行编程操 作的存储单元块生成了漏电流，所以产生问题。因此，出现编程不足(under program)现象，在该现象中，施加给已进行了检验操作的存储单元块的 检验电压的电平被降低，因此，目标编程单元的阈值电压被降低。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对非易失性存储装置进行编程的方法，所述方法包括：　对选择的存储单元块执行编程操作；　对来自包括在未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进行放电；以及　对所述选择的存储单元块执行检验操作。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴成济，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]