存储器阵列的操作方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器阵列的操作方法。此操作方法包括进行一编 程操作。在进行编程操作时，施加一第一电压至该存储单元阵列的一位线， 并施加一第二电压至该存储单元阵列的多条字线，以同时编程该位线所对 应的所选的多个存储单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电可擦除可编程只读。
技术介绍
电可擦除可编稃只读存储器是一种可进行多次数据的存入、读取或擦 除等动作且存入的数据在断电后也不会消失的非易失性存储器。电可擦除可编程只读存储器中最典型的是闪存(Flash)。依据结构的材质不同，闪存也可以区分为掺杂多晶硅浮置栅极 (floating gate)型的存储器以及电荷陷入层型存储器。通常电荷陷入层的材 质主要是氮化硅，且此种氮化硅电荷陷入层上下通常各有一层氧化硅，控 制栅极以及衬底的材质通常是多晶硅或硅，因此，此种元件通称为硅/氧化 硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS)元件。依据排列方式的不同，闪存可以区分为或非门(NOR)型、与非门 (NAND)型等。另一方面，依据功能的不同，闪存可以概分为记录程序的 编码型闪存(Code Flash)和储存数据的数据型闪存(Data Flash)两大类。编码型闪存主要负责提供电子产品开机和控制程序，需要能够快速读取；数据 型闪存则需要具备快速写入的功能。典型的或非门闪存操作方法，是先选定单一个存储单元，对所选定的 单一存储单元的控制栅极所对应的字线施加偏压并在其漏极所对应的位线施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器阵列的操作方法，其特征在于，该操作方法包括：　进行一编程操作，施加一第一电压至该存储单元阵列的一位线，并施加一第二电压至该存储单元阵列的多条字线，以同时编程该位线所对应的所选的多个存储单元，其中该存储单元阵列具有多条共享源极线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭明昌，李明修，吴昭谊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71