半导体器件制造技术

技术编号:3766563 阅读:136 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种在W-CSP那样的封装尺寸与半导体芯片大致相同的半导体器件中,能确保更宽的印字区的半导体器件的结构。在半导体基板具有从反面到达正面电极的多个贯通电极、与形成在半导体基板的反面上的贯通电极连接的反面布线网、覆盖反面布线网的绝缘膜。在半导体基板的反面设置具有印字标记的印字区。印字区其外缘在印字标记的形成面的面方向与反面布线网分开,并且配置在半导体基板的周围部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件,特别是涉及具有晶片级芯片尺寸封装(W-CSP)结构的半导体器件。
技术介绍
近年的以带照相功能的移动电话或数字照相机为代表的信息设备的小型化、高密度、高功能化显著发展.作为实现在这些设备上搭载的CCD 或CMOS等摄像元件的小型化的技术,乂^有实现与芯片尺寸相同的封装 的晶片级芯片尺寸封装(以下称作W-CSP )。W-CSP是在晶片状态下完成全部的组装工序的新概念的封装。W-CSP 与FBGA( Fine Pitch Ball Grid Array)同样,在封装的反面具有把端子排 列为格子状的外形形状,封装尺寸与芯片尺寸大致相同.在图l表示使用W-CSP技术制作的图像传感器30的截面结构。在由 硅等构成的图像传感器芯片4的正面形成受光部3。受光部3由配置为矩 阵状的光电二极管和电荷耦合元件(CCD)构成。在受光部3的正面层叠 微透镜阵列3a。在图像传感器芯片4的正面形成与受光部3电连接的焊盘9。 在焊盘9各个中电连接有贯通图像传感器芯片4并到达下面的贯通电极10。 在贯通电极10和硅芯片之间设置使两者之间绝缘的绝缘膜11.在图 像传感器芯片的反面形成反射防本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件,包含矩形的半导体基板、形成在所述半导体基板的正面的多个正面电极、在所述半导体基板的内部从所述半导体基板的反面到达所述各正面电极的多个贯通孔、覆盖所述贯通孔各自的内壁的导电体、设置在所述半导体基板的反面并且与所述导电体连接的反面布线网、覆盖所述反面布线网的绝缘膜、形成在所述绝缘膜上的具有印字标记的印字区,其特征在于: 所述印字区的外缘,在平行于所述印字标记形成面的方向上远离所述反面布线网,并且与所述半导体基板的外缘一致。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:坂本吉史
申请(专利权)人:OKI半导体株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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