覆晶封装结构的制造方法技术

本发明专利技术覆晶封装结构的制造方法是以沾附方式沾附一液态锡于一芯片的数个金凸块，接着结合这些金凸块及相对应的一基板的数个第一接垫，以结合该芯片及该基板，最后形成一保护胶层于该基板与该芯片之间且覆盖这些金凸块。藉此，本发明专利技术的制造方法可降低生产成本，且可应用于凸块间距小于６０微米的工艺。另外，本发明专利技术的制造方法使得这些金凸块与这些第一接垫之间具有较强的结合强度。再者，本发明专利技术的制造方法可应用于多种工艺，故应用更为广泛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种封装结构的制造方法，详言之，是关于一种覆晶封装结构的制 造方法。
技术介绍
已知技术应用于低脚数且须微小化或薄形化的封装结构，一般是采用覆晶封装方 法制造。然而，在已知覆晶封装方法中，用于电性连接基板及芯片的锡铅凸块成本较高，故 金凸块(gold stud bump)的应用则成为低成本覆晶封装较佳的选择。其中，已知覆晶封装 方法在凸块间距小于60微米时，对于凸块的连结就会有一定的限制及困难。已知技术较常应用的金凸块接合方法为下列几种栓柱凸点接合(SBB)、共晶合 金连结(Eutectic Solder Bonding, ESC)、非导电颗粒膜(NCF)/非导电颗粒膏(NCP)、 各向异性导电膜(ACF)/各向异性导电膏(ACP)及超音波金对金连结(Gold toGold Interconnect, GGI)工艺，其又以SBB工艺及ESC工艺为最常应用的技术。其中，SBB工艺中金凸块须沾附导电银胶，以结合基板及芯片，但其结合强度较弱， 仅适用于陶瓷基板或低热膨胀系数(CTE)基板；ESC工艺以直接热压合方式结合基板及芯 片，但须先于基板上的接垫上设置预焊料(锡膏)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶封装结构的制造方法，包括以下步骤：（ａ）提供一基板，该基板具有一第一表面，该第一表面数个第一接垫；（ｂ）提供一芯片，该芯片具有数个金凸块，这些金凸块是相对于这些第一接垫；（ｃ）沾附一液态锡于每一该金凸块；（ｄ）结合相对应的这些第一接垫及这些金凸块；（ｅ）形成一保护胶层于该基板与该芯片之间且至少覆盖这些金凸块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡嘉杰，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]