模块集成集成电路制造技术

本发明专利技术提供以各种无线电频率标准运行的电子模块，所述模块包括第一集成电路晶粒，其形成于第一半导体衬底中且使用第一半导体制程制造，设置在第一集成电路内的用于执行功能的第一信号调节电路和第一与第二辅助电路，所述第一辅助电路电气地耦合到所述第一信号调节电路以在其运行期间供所述第一信号调节电路使用。一个第二集成电路晶粒电气地耦合到所述第二辅助电路，且形成于所述第二半导体衬底中，且与所述第一集成电路共同位于所述模块内，所以第二辅助电路在其操作期间不供所述第一信号调节电路使用。所述第二集成电路晶粒受益于所述第二辅助电路的所述运行，其起作用以执行与所述第一信号调节电路类似的功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及射频(RF)前端电路的领域，且更明确地说，涉及在较小模块尺寸中实施的多标准RF前端电路的领域。
技术介绍
通常，无线产品领域中的制造商希望将无线电媒介接口电路实施到无线电终端中，例如PCMCIA卡或加密狗(dongle)，其通常必须在两个或两个以上无线电标准的情况内运行，但在任何一次根据一个标准动作。举例来说，这些无线电标准共同称为IEEE 802标准，其为所属领域中的技术人员众所周知。此标准通常可分为若干单个无线电标准，包括5.8GHz的一个标准，称为802.1 1a，和2.45GHz的另外两个标准，称为802.11b和802.11g。根据这些无线电标准，制造商通常对建立无线电终端感兴趣，其将能够以802.11a、b和g标准运行，在任何一次仅一个特定标准有效。因此，制造商对获得前端模块感兴趣，所述前端模块合并有接收和传输元件，例如低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)、阻抗匹配组件和RF开关等，所有终端或卡必须遵守的标准。因而在无线电终端设计中为其提供灵活性。遗憾地，PA和例如LNA的其它组件为高度专用组件，具有通常不与其它无线电频带重叠的规格。因此，5.8GHz PA通常不适合使用2.4GHz PA。因此，例如LNAs和PA的个别组件并入模块中以适应不同无线电标准。此外，很多例如PA和LNAs的高性能RF组件均具有相对较低水平的辅助电路集成。举例来说，电压调整电路、温度调整电路、控制电路和用于控制且最优化PA的运行的其它电路通常不与PA集成到相同的晶粒中，但在围绕PA晶粒的模块内，作为分立组件设置在单独的半导体衬底上。大多数模块设计者将很好地了解，将更多组件添加到模块中增加了成本，减少了产量和耐用性，同时导致模块尺寸增加。当附加电路用于每个有源RF组件(例如RF开关、LNA和PA)时，情况更加严重。SiGe BiCMOS技术中的最近进展已经允许高性能RF组件的逐渐更高水平的集成。举例来说，在SiGe BICMOS技术中实施的802.11b/g标准的高性能2.45GHz PA可包含电压和温度调整电路连同控制电路中证明的各种功率最优化和控制方案。这种较高水平的集成的益处为IC设计团体很好地了解，包括减小模块尺寸、降低成本、减少组装时间和增加产量与模块寿命。此外，尤其对于PA来说，电压驻波比(VSWR)感应电路和PA输出功率感应电路集成到PA芯片中，可改善PA在容许对天线的误配条件时的稳定性。在此特定实例中，较高VSWR的确定可导致控制信号产生以减少功率输出且从而保护一个或一个以上PA增益级免于过电压情况。很明显，此类型的辅助电路集成到PA中具有增加PA性能和稳定性且最小程度增加模块尺寸的潜力。就LNAs来说，偏压点控制电路的集成很重要。然而，工业中SiGe BiCMOS技术的使用目前受到限制。举例来说，对于5.8GHz PA来说，只有较小数目的制造商利用SiGe，而若干最终用户则利用GaAs或基于III-V组的技术。然而，基于GaAs的技术在5.8GHz每级提供更多增益且在RF信号路径中提供更低损耗。然而，基于GaAs的技术通常不适合与基于GaAs的RF组件一起使用的辅助电路的集成，归因于基于GaAs的技术中缺乏合适的基本器件。例如，电压调整不可能集成到基于GaAs的PA中。因此，在模块的情况下，模块设计者被迫添加那些附加电路或晶粒，以用于支持基于GaAs的组件。如先前所提及，添加更多组件导致模块尺寸和成本的增加。因此，需要提供紧凑型RF模块，其支持若干RF标准。因此，本专利技术的目的在于提供紧凑型RF模块，其通过促进多个电路组件集成到同一模块中以支持若干RF标准来克服现有技术的限制。
技术实现思路
根据本专利技术，提供电子装置，其包含第一集成电路半导体晶粒，所述第一集成电路半导体晶粒包含第一信号调节电路，集成在所述第一集成电路晶粒内以在沿第一信号路径传播的信号上执行第一信号调节功能；第一辅助电路，集成在所述第一集成电路晶粒内且电气地耦合到所述第一信号调节电路以除了执行所述第一信号调节功能外且在其运行期间供所述第一信号调节电路使用；第二集成电路半导体晶粒，包含第二信号调节电路，集成在所述第二集成电路晶粒内以在沿不同于所述第一信号路径的第二信号路径传播的信号上执行第二信号调节功能；第二辅助电路，集成在所述第一集成电路半导体晶粒内且电气地耦合到所述第二信号调节电路以除了执行所述第二信号调节功能外且在其运行期间供所述第二信号调节电路使用；衬底，用于支撑所述第一和第二集成电路半导体晶粒且用于提供到所述第一和第二集成电路半导体晶粒的电气连接和得到来自所述第一和第二集成电路半导体晶粒的电气连接。根据本专利技术，提供电子装置，其包含第一集成电路晶粒，使用第一半导体制程形成，所述第一集成电路晶粒不需要附加电路用于执行第一信号调节功能，所述第一集成电路晶粒包含第一信号调节电路以执行所述第一信号调节功能且具有用于接收第一输入信号的第一输入端口以在其上执行所述第一信号调节功能，且具有用于从其提供第一输出信号的第一输出端口；第一辅助电路，电气地耦合到所述第一信号调节电路以在其运行期间供所述第一信号调节电路使用；第二辅助电路，具有第一接口端口；和第二集成电路晶粒，使用第二半导体制程形成且具有用于接收第二输入信号的第二输入端口，和用于从其提供第二输出信号的第二输出端口，所述第二集成电路晶粒具有用于与所述第一接口端口对接的第二接口端口以结合设置在所述第一集成电路晶粒上的所述第二辅助电路执行第二信号调节功能，所述第一与第二输入端口之间和所述第一与第二输出端口之间无信号通信发生。根据本专利技术，提供制造用于减少串扰的电路的方法，其包含以下步骤提供第一信号调节电路；提供第二信号调节电路；在第一半导体晶粒内实施所述第一信号调节电路；在所述第一半导体晶粒中实施所述第二信号调节电路的第一部分；在第二半导体晶粒中实施所述第二信号调节电路的第二部分；将所述第一和第二晶粒接合到共同衬底；和在所述两个晶粒之间进行引线接合以完成所述第二信号调节电路。附图说明现将结合以下附图描述本专利技术的示范性实施例，其中图1说明现有技术的组件到模块中的集成；图2说明本专利技术的第一实施例，与图1中所示的三个相对，模块200在模块内集成有两个半导体衬底；图3说明本专利技术的第二实施例，其说明本专利技术的第一实施例的更特定的实施；和图4说明根据本专利技术的实施例的制造电路的方法。具体实施例方式图1说明现有技术的组件到模块100中的集成。设置在所述模块100内的为第一信号调节电路101、第二信号调节电路102和电压调整器电路103。所述第一信号调节电路设置于第一射频(RF)信号输入端口100a与第一RF信号输出端口100b之间。所述第二信号调节电路设置于第二RF信号输入端口100c与第二RF信号输出端口100d之间。经调整的供应电压从电压调整器电路103提供到第一和第二信号调节电路，所述电压调整器电路103与第一和第二信号调节电路101和102设置在不同的半导体衬底上。供应电压从电池(未图示)通过正供给电压输入端口100e且通过接地端口100f提供到电压调整器电路103。第一和第二信号调节电路还连接到所述接地端口100f。电压调整器电路103设置为此模块100的第三组件。通常，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子装置，其特征在于包含：第一集成电路半导体晶粒，其包含：第一信号调节电路，集成在所述第一集成电路晶粒内以在沿第一信号路径传播的信号上执行第一信号调节功能；第一辅助电路，集成在所述第一集成电路晶粒内，且电气地耦合到所 述第一信号调节电路以用于除了执行所述第一信号调节功能外且在其运行期间供所述第一信号调节电路使用；第二集成电路半导体晶粒，包含第二信号调节电路，所述第二信号调节电路集成在所述第二集成电路晶粒内，以在沿不同于所述第一信号路径的第二信号路 径传播的信号上执行第二信号调节功能；第二辅助电路，集成在所述第一集成电路半导体晶粒内，且电气耦合到所述第二信号调节电路以用于除了执行所述第二信号调节功能外且在其运行期间供所述第二信号调节电路使用；衬底，用于支撑所述第一和第二 集成电路半导体晶粒，且用于提供到所述第一和第二集成电路半导体晶粒的电气连接和得到从所述第一和第二集成电路半导体晶粒提供的电气连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾伦JA特雷纳，
申请(专利权)人：加拿大硅锗半导体公司，
类型：发明
国别省市：CA[加拿大]