【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非挥发性存储器，包括：基底，该基底中具有至少沟槽；至少选择栅极，设置于该沟槽中，且该选择栅极的表面低于该基底表面；至少第一掺杂区，设置于该沟槽下方的该基底中；控制栅极，设置于该选择栅极上；以及多个浮置栅极，设置于该选择栅极与该控制栅极之间，分别位于各该沟槽顶端两侧的边角处。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王炳尧，杨立民，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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