半导体元件及其制造方法技术

一种半导体元件的制造方法。首先，提供基底。基底上具有切割线，将基底划分为至少一个芯片。于基底中形成沟槽，沟槽位于预定形成焊垫的区域或焊垫与切割线之间的区域。然后，于沟槽的侧壁及底部的基底中形成下电极，并于基底上形成电容介电层与上电极，上电极填满沟槽。之后，于基底中形成掺杂区电连接下电极。继之，于基底上形成第一焊垫与第二焊垫，下电极经由掺杂区电连接至第一焊垫，上电极电连接至第二焊垫。由于电容器形成于焊垫下方或焊垫与切割线之间的基底中，可减少所占用的芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：基底，该基底上具有多条切割线，将该基底划分为至少一芯片；多个焊垫，设置于该芯片的周边区域中；以及至少一沟槽式电容器，设置于该些焊垫下方或该些焊垫与该些切割线之间的区域，该沟槽式电容器包括：　 　下电极，设置于该基底中的沟槽的侧壁及底部；上电极，设置于该基底上并填满该沟槽；以及电容介电层，设置于该上电极与该下电极之间，其中该下电极电连接至第一焊垫，该上电极电连接至第二焊垫。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文吉，陈东波，艾世强，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]