半导体结构及其制造方法,和中和带电半导体结构的方法技术

提供了一种芯片上加热器及其制造方法和使用方法，所述加热器被置于隔离区域内，所述隔离区域进而被置于半导体衬底内。所述加热器具有能够将半导体衬底升高到至少约２００摄氏度的温度的热输出。所述加热器可被用于对半导体结构内的电介质层内的俘获电荷进行热退火。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体器件内的俘获电荷。更具体地，本专利技术涉及用于使半导体器件内的俘获电荷消散(dissipate)的结构和方法。
技术介绍
包括CMOS电路的半导体电路经常容易遭受电离辐射，电离辐射可能导致例如电介质层的层内的俘获电荷。栅极电介质中的俘获电荷可能导致场效应晶体管工作参数的变化，例如阈值电压漂移。量值足够大的阈值电压漂移可能导致场效应晶体管不工作，因为由于存在俘获电荷，栅极不再能够有效地控制沟道。此外，电介质隔离区域内的俘获电荷可能使得侧壁器件(sidewalldevice)可工作，或者在半导体结构内的器件之间产生泄漏路径。本领域已知热退火加热器和热退火方法来使电介质层内的俘获电荷消散。例子包括(1)Kelleher等，“Investigation of On-chip HighTemperature Annealing of PMOS Dosimeters”，IEEE Trans.OnNuclear Science，Vol43(3)，1996年6月，pp.997-1001(包围辐射敏感场效应晶体管(RADFET)的多晶硅电阻器)；(2)Chabrerie等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包含：至少一个被置于半导体衬底内的隔离区域；和至少一个被嵌入所述至少一个隔离区域内的加热器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：埃塞安H坎农，阿尔文W斯庄，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]