【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非挥发性存储器，包括：基底，该基底表面设置有绝缘层；多个主体层，设置于该基底上，该些主体层平行排列，并往第一方向延伸；多个控制栅极，设置于该基底上，该些控制栅极平行排列，并往第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错，且该些控制栅极填满该些主体层于该第二方向上的间隙；多个浮置栅极，设置于该些控制栅极与该些主体层之间；以及多个掺杂区，设置于该些控制栅极之间的该些主体层中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赖亮全，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。