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一种非挥发性存储器，是由基底、选择栅极、掺杂区、控制栅极与浮置栅极所构成的。基底中具有一沟槽。选择栅极设置于沟槽中，且选择栅极的表面低于基底表面。掺杂区设置于沟槽下方的基底中。控制栅极设置于选择栅极上。浮置栅极设置于选择栅极与控制栅极之间，...
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