【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成半导体器件的双栅极的方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一区域上形成用ｐ型杂质离子掺杂的第一多晶硅层和在所述半导体衬底的第二区域上形成用ｎ型杂质离子掺杂的第二多晶硅层；第一湿法清洁所述第一和第二多晶硅层；第二 湿法清洁所述第一和第二多晶硅层；和干法清洁所述第一和第二多晶硅层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金奎显，崔根敏，崔伯一，金东柱，韩智惠，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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