【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及用于在有源矩阵液晶显示器(LCD)中驱动液晶的薄膜晶体管，更具体地涉及具有偏置区的薄膜晶体管。近来，供平面显示器件和其它图象显示器件用的薄膜晶体管方面的研究及开发极为活跃。用于有源矩阵LCD或其它显示器件的薄膜晶体管需要具有如下特性，高的迁移率，高的接通电流与关断电流的比例，高的耐电压，有减小器件尺寸的能力。多晶半导体薄膜晶体管具有高性能和高可靠性的优点，但与使用非晶半导体膜的晶体管相比，也存在需要高温来形成膜这样的缺点。因此，对通过激光照射而不使用高温处理，来使非晶半导体膜晶化成为多晶半导体膜，进行了许多研究和技术应用。附图说明图1展示了采用多晶半导体膜的传统薄膜晶体管的剖面图，图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H展示了图1所示晶体管的制造工艺步骤。以下参考这些图说明制造工艺。首先，在玻璃基片61上形成非晶半导体(a-si)膜62a，如图2A所示。然后对非晶半导体膜62a刻图，并用准分子激光做局部照射，以使非晶半导体膜62a的部分生长成为多晶半导体(P-Si)膜62b，并仅留下该部分，如图2B所示。之后，形成栅绝缘膜63和金属...
【技术保护点】
一种具有偏置栅极结构的晶体管的制造方法，其中偏置区形成在栅电极与源区之间、以及栅电极与漏区之间，包括以下步骤：在由绝缘材料形成的、或者其表面上具有绝缘膜的基片顶表面上，按顺序形成半导体膜、栅绝缘膜和栅电极；以所述栅电极为掩模，在所述 半导体膜中掺杂杂质离子，由此在半导体膜中形成源区和漏区；在所述栅电极和栅绝缘膜上形成光刻胶膜；从所述基片背侧对所述光刻胶膜曝光，形成宽度小于所述栅电极宽度的光刻胶图形，以所述光刻胶图形作为掩膜，腐蚀所述栅电极的两侧表面，由此在所 述栅电极与所述源和漏区中的每一个之间形成特定宽度的偏置区。
【技术特征摘要】
JP 1993-12-20 320135/931.一种具有偏置栅极结构的晶体管的制造方法，其中偏置区形成在栅电极与源区之间、以及栅电极与漏区之间，包括以下步骤在由绝缘材料形成的、或者其表面上具有绝缘膜的基片顶表面上，按顺序形成半导体膜、栅绝缘膜和栅电极；以所述栅电极为掩模，在所述半导体膜中掺杂杂质离子，由此在半导体膜中形成源区和漏区；在所述栅电极和栅绝缘膜上形成光刻胶膜；从所述基片背侧对所述光刻胶膜曝光，形成宽度小于所述栅电极宽度的光刻胶图形，以所述光刻胶图形作为掩模，腐蚀所述栅电极的两侧表面，由此在所述栅电极与所述...
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