沟槽型双扩散型MOS装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种沟槽型ＤＭＯＳ装置及其制造方法，该装置包括：由第一区１０ａ和第二区１０ｂ构成的半导体基底１０，扩散层１１，高浓度接触区１２，至少２个以上的沟槽１３ａ、１３ｂ，以将上述接触区分离为至少３个以上的区域，栅极氧化膜１４ａ、１４ｂ，多晶硅膜１５ａ、１５ｂ，由于具有２个以上的沟槽并各自分别形成２个沟道，所以形成４个沟道，可以提高电流驱动能力。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造，更详细地涉及沟槽型双扩散型MOS(即DMOS，trench double diffused MOS)装置及其制造方法。现有技术的沟槽型DMOS晶体管如附图说明图1所示，包括以下构造贯穿在n型半导体基底10上形成的P型主体层11(a bcdy layer)而构成的沟槽，在该沟槽内的侧壁和底部表面上形成的栅极氧化膜14，在上述沟槽内形成于上述栅极氧化膜14上的栅极多晶硅层15，在上述多晶硅层15的上部两侧形成的n+型源极接触区12。在具有上述构造的沟槽型DMOS晶体管中，半导体基底10连接漏极，源极接触区12和主体层11同时与源极连接，而且在沟槽内形成的多晶硅层15与栅极连接。另外，上述半导体基底10由高浓度的n+型基底10a及与其具有同一导电型的低浓度的n-覆盖层10b(a COV-ering layer)构成。而且，上述沟槽型DMOS晶体管在工作时，在上述源极接触区12和上述半导体基底10的底浓度覆盖层10b之间沿上述栅极氧化膜14的侧表面形成两个沟道18a、18b。这样，现有的沟槽型DMOS晶体管，因为只有一个沟槽，只通过设置于该沟槽两侧的2个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型ＤＭＯＳ装置，其特征在于包括：由具有第１导电型的高浓度半导体物质的第一区（１０ａ）和在该第一区上形成的具有同一导电型的低浓度半导体物质的第二区１０ｂ构成的半导体基底１０；在上述第二区上形成的第２导电型的扩散层（１１）；在上述扩散层（１１）的表面形成的具有第１导电型的高浓度接触区（１２）；以贯通上述接触区和第二区、延伸到上述第一区的上部，并且相互之间以规定距离形成将上述接触区至少分离为３个以上的区域的至少２个以上的沟槽（１３ａ、１３ｂ）；在上述至少２个以上的沟槽的各自的侧壁和底部表面上分别形成的栅极氧化膜（１４ａ、１４ｂ）；在上述栅极氧化膜上形成的多晶硅膜（１５ａ、１５ｂ）。

【技术特征摘要】
KR 1995-9-29 32836/951.一种沟槽型DMOS装置，其特征在于包括由具有第1导电型的高浓度半导体物质的第一区(10a)和在该第一区上形成的具有同一导电型的低浓度半导体物质的第二区10b构成的半导体基底10；在上述第二区上形成的第2导电型的扩散层(11)；在上述扩散层(11)的表面形成的具有第1导电型的高浓度接触区(12)； 以贯通上述接触区和第二区、延伸到上述第一区的上部，并且相互之间以规定距离形成将上述接触区至少分离为3个以上的区域的至少2个以上的沟槽(13a、13b)； 在上述至少2个以上的沟槽的各自的侧壁和底部表面上分别形成的栅极氧化膜(14a、14b)；在上述栅极氧化膜上形成的多晶硅膜(15a、15b)。2.一种沟槽型DMOS装置的制造方法， 其特征在于包括以下步骤制备具有第1导电型的高浓度半导体物质的第一区(10a)的工序；在上述第一区上形成具有上述第一区的导电型相同的导电型的低浓度半导体物质的第二区(10b)的工序；在上述第二区上形成具...

【专利技术属性】
技术研发人员：全昌基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]