【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及场效应晶体管。单边的缓变沟道绝缘栅场效应晶体管(IGFET)有断面杂质呈横向缓变分布的沟道区。在典型情况下，缓变沟道区形成于栅极下，并在栅极下从掺杂源区起延伸一段较大的距离进入沟道区。器件被称为“单边的”是因为缓变沟道区仅仅形成于器件的源侧。缓变沟道区使用一种与衬底或形成IGFET的阱同一导电类型的杂质，载流子浓度分布逐渐从与源区交界处的最大值变化到相当于本体载流子浓度的最小值(即衬底或阱的载流子浓度)。缓变沟道具有以下优点更高的载流子迁移率，更低的体效应，更大的穿通电阻，更低的栅长灵敏度。单边的、缓变沟道的IGFET的器件灵敏度与均匀沟道的IGFET的器件灵敏度显著不同，因此与它的制备相关的几个问题过去从未提及。首先，在形成缓变沟道IGFET时，有时希望使用倾斜的离子注入来形成缓变沟道，这需要具有低纵横比率的掩膜工艺，因而是困难的。另外，常期望用与源/漏区同样的步骤对栅极进行掺杂，但当对亚微米器件使用其目的只是在器件的漏侧有轻掺杂漏极(LDD)扩展区的光敏抗蚀剂掩膜时，上述期望是不实际的。进一步而言，在亚微米器件中使用光刻...
【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：提供第一种导电类型的半导体衬底（１０）和覆盖该衬底（１０）的栅极（１４），其中上述栅极（１４）有第一个侧壁，第二个侧壁和一个顶面（２８）；形成一个贴近于所说栅极（１４）的所说的第二个侧壁的隔层 （２３），这里所说的隔层（２３）具有一个位于所说栅极（１４）的末端的角部（２６）；形成隔层（２３）的所述步骤完成后，在所说的半导体衬底（１０）内形成一个与所述栅极（１４）的第一个侧壁充分对准的具有所说的第一种导电类型的第一个掺杂区（３６ ）；在所说的半导体衬区（１０）内形成一个与所述栅极（１４）的第一个侧壁充分对准的具有第二...
【技术特征摘要】
US 1995-8-30 521504;US 1995-12-1 5663201.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤提供第一种导电类型的半导体衬底(10)和覆盖该衬底(10)的栅极(14)，其中上述栅极(14)有第一个侧壁，第二个侧壁和一个顶面(28)；形成一个贴近于所说栅极(14)的所说的第二个侧壁的隔层(23)，这里所说的隔层(23)具有一个位于所说栅极(14)的末端的角部(26)；形成隔层(23)的所述步骤完成后，在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述栅极(14)的第一个侧壁充分对准的具有所说的第一种导电类型的第一个掺杂区(36)；在所说的半导体衬区(10)内形成一个与所述栅极(14)的第一个侧壁充分对准的具有第二种导电类型的掺杂源区；在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所说的隔层(23)的角部(26)充分对准的具有所说的第二种导电类型的掺杂漏区；除去所说的隔层(23)；以及在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述栅极(14)的第二个侧壁充分对准的掺杂漏扩展区(40)。2.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤提供第一种导电类型的半导体衬底(10)和覆盖该衬底(10)的栅极(14)，这里所说的栅极(14)有第一个侧壁，第二个侧壁和一个顶面(28)；形成贴近于所说栅极(14)的所说的第二个侧壁的隔层(23)，这里所说的隔层(23)具有一个位于所说栅极(14)的末端的角部(26)；形成隔层(23)所述步骤完成后，在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述栅极(14)的第一个侧壁充分对准的具有所说的第一种导电类型的第一个掺杂区；除去所说的隔层(23)；在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述栅极(14)的第一个侧壁充分对准的具有第二种导电类型的掺杂漏源区；以及在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述的栅极(14)的第二个侧壁充分对准的具有所说的第二种导电类型的掺杂漏区；3.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤提供第一种导电类型的半导体衬底(10)和覆盖该衬底(10)的栅极(14)，这里所说的栅极(14)有第一个侧壁，第二个侧壁和一个顶面(28)；形成贴近于所说栅极(14)的第一个侧壁的隔层(22)；形成贴近所说栅极(14)的第二个侧壁的第二个隔层(23)，这里所说的第二个隔层(23)具有一个位于所说栅极(14)的末端的角部(26)；除去所说的第一个隔层(23)；在形成所述的第二个隔层(23)和除去所述的第一个隔层...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒂安M唐，罗伯特B达维斯，安基斯A维尔德，维拉伊尔德拉姆，
申请(专利权)人：摩托罗拉公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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