温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成单边缓变沟道场效应晶体管以及晶体管堆叠结构的方法包括提供带有覆盖的栅电极（１４，１６）的衬底（１０）。只在该栅电极的漏侧形成一个隔层（２３）。在与该栅电极的源侧对准的情况下形成一个缓变沟道区（３６），而该隔层保护该沟道区的漏侧。形成...
该专利属于摩托罗拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过摩托罗拉公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。