【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其是在对MOS(金属氧化物硅)型半导体器件中热载流子和由于减速阻挡造成的特性变化的抑制的改善。图5描绘出了一种常规的MOS型半导体器件，它包括其上形成有一绝缘区102的一半导体基片101、在绝缘区102之外区域形成的一阱区103、在基片表面附近形成的源极区和漏极区、设置在这些区域之上的一栅氧化层104、及在栅氧化层104上形成的多晶硅的栅极105。在栅极105的侧面形成的是为栅极105限定侧壁的第一氧化物膜106，而第二氧化物膜108是构成一层间介质膜覆盖整个表面，同时还在其上设置一层BPSG(磷化硼硅酸盐玻璃)层110。此外，第二氧化物膜108和BPSG层110选择地具有接触孔111，在接触孔111中埋置势垒金属112和钨113。此外，在至少包括接触孔111之上区域的一区域给出的是由含铝合金形成的每个第一层配线114。SiOF构成的一层间介质膜115被形成在第一层配线114上面，并且穿过其选择地开出一通孔116。在通孔116的侧壁形成自第二层配线119延伸的氮化钛膜117，且在其中埋置钨118。此外，在包括通孔116上方的一部分的区域...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于它包括：具有一元件区及源极和漏极区的一半导体基片；在所述半导体基片的所述元件区中形成的含有氮的一栅介质膜；在所述栅介质膜上形成的一栅极；邻近所述栅极形成的以便于确定其侧壁的一第一介质膜；形成的以 便于覆盖所述栅极和所述第一介质膜的一第二介质膜，所述第二介质膜是掺杂氮的；形成的以便于覆盖所述第二介质膜的一第三介质膜，所述第三介质膜是氮化硅构成的。
【技术特征摘要】
JP 1997-1-20 7137/971.一种半导体器件，其特征在于它包括具有一元件区及源极和漏极区的一半导体基片；在所述半导体基片的所述元件区中形成的含有氮的一栅介质膜；在所述栅介质膜上形成的一栅极；邻近所述栅极形成的以便于确定其侧壁的一第一介质膜；形成的以便于覆盖所述栅极和所述第一介质膜的一第二介质膜，所述第二介质膜是掺杂氮的；形成的以便于覆盖所述第二介质膜的一第三介质膜，所述第三介质膜是氮化硅构成的。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一介质膜是掺杂氮的。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于所述第一介质膜是氮化硅构成的。4.一种用于制造半导体器件的方法，其特...
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