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一种半导体器件包括具有一元件区及源极和漏极区的半导体基片，在所述半导体基片的元件区形成的含氮栅介质膜，在栅介质膜上形成的栅极，邻近栅极形成的以便确定其侧壁的第一介质膜，形成的以便于覆盖栅极和第一介质膜的第二介质膜，第二介质膜是掺杂氮的，及为...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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