【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置的制造，特别是涉及沟槽型(trench，下同)DMOS(double diffused MOS，下同)晶体管及其制造方法。如附图说明图1A或图1C所示，现有技术的沟槽型DMOS晶体管由以下结构组成贯通P型主体层而形成的沟槽，该P型主体层形成在n型半导体基底1上；在该沟槽内侧壁和底部表面上形成的栅极氧化膜2；在上述沟槽内的上述栅极氧化膜2上形成的栅极多晶硅层3；在上述栅极多晶硅层3的上部两侧形成的n+型源极接触区5。具有上述构造的沟槽型DMOS晶体管中，半导体基底1连接漏极，源极接触区5和主体层4共同连接源极，形成在沟槽内的多晶硅层3连接栅极。并且，上述半导体基底1由高浓度的n+基底1a和与该基底1a具有同一导电型的低浓度的n-覆盖层1b(a covering layer)构成。另外，当上述沟槽型DMOS晶体管工作时，在上述源极接触区5和上述半导体基底1的低浓度覆盖层1b之间，沿上述源极氧化膜3的侧表面，形成两个沟道(channel，下同)6a、6b。由于现有的沟槽型DMOS晶体管具有一个沟槽，电流只能通过设在沟槽两侧的两个沟道流通。一...
【技术保护点】
一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管，其特征在于包括：具有第一导电型的高浓度半导体物质的第一区（１０）和在上述第一区上形成的具有同一导电型的低浓度半导体物质的第二区（１２）构成的半导体基底；在上述第二区上形成的第二导电型的扩散层（１４）；贯通上述扩散层（１４）并延伸到上述第二区（１２）的上部，并以规定距离形成的多个沟槽；在上述扩散层（１４）的表面形成的，作为源极接触区使用的，并使元件与元件之间电气连接的第一导电型高浓度杂质注入层（１６）；在上述多个沟槽的每个侧壁和底部表面上形成的栅极氧化膜（１８）；包含在上述栅极氧化膜上形成的多晶硅膜（２０）在内，上述晶体管工作时，在上述单一高浓度杂质...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1995-10-16 35598/951.一种沟槽型DMOS晶体管，其特征在于包括具有第一导电型的高浓度半导体物质的第一区(10)和在上述第一区上形成的具有同一导电型的低浓度半导体物质的第二区(12)构成的半导体基底；在上述第二区上形成的第二导电型的扩散层(14)；贯通上述扩散层(14)并延伸到上述第二区(12)的上部，并以规定距离形成的多个沟槽；在上述扩散层(14)的表面形成的，作为源极接触区使用的，并使元件与元件之间电气连接的第一导电型高浓度杂质注入层(16)；在上述多个沟槽的每个侧壁和底部表面上形成的栅极氧化膜(18)；包含在上述栅极氧化膜上形成的多晶硅膜(20)在内，上述晶体管工作时，在上述单一高浓度杂质注入层(16)和上述第二区(12)之间，沿上述栅极氧化膜(18)的侧表面形成两个沟道，而且各晶体管的源极接触区由单一铺设的源极进行电气连接。2.一种沟槽型DMOS晶体管的制造方法，其特征在于包括以下步骤制备具有第一导电型的高浓度半导体物质的第一区(10)的工序；形成第二区(12)的工序，该区形成在上述第一区上并且是具有与上述第一区相同导电型的低浓度半导体物质；在上述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：全昌基，
申请(专利权)人：费尔柴尔德韩国半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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