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一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管及其制造方法，该晶体管包括：由第一区１０和第二区１２构成的半导体底基；第二导电型的扩散层１４，延伸到上述第二区１２上部，以规定距离形成的多个沟槽；高浓度杂质注入层１６；栅极氧化膜１８；多晶硅膜２０。晶体管工作时，形成...
该专利属于费尔柴尔德韩国半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过费尔柴尔德韩国半导体株式会社授权不得商用。

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