半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面层积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使表面平整来层积蚀刻度速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成电容绝缘膜。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，该半导体器件内含以高介电常数的电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件。近年微型计算机等信息处理高速化和电器低耗电趋势推进过程中，民用电器功能进一步提高，所用半导体器件也迅速促进了其半导体元件的布线图版的细微化。随之造成电磁波噪声的电器所产生的额外辐射成大问题，作为减少这种额外辐射的措施，半导体集成电路等当中内含以高介电常数的电介质(以下简称高电介质)作为电容绝缘膜的大容量电容元件的技术受到关注。而且，随着动态RAM的高集成化，以高电介质替代现有硅氧化物或氮化物用作电容绝缘膜的技术正得到广泛研究。而且，以低工作电压、可高速写入读出的非易失RAM实用化为目的，盛行具有自发极化特性的强电介质膜的研究开发。以下参照附图说明现有半导体器件制造方法。图3(a)—(f)是示意现有半导体器件制造工序的半导体器件剖面图，1是形成有半导体集成电路的支持基板表面上覆盖的层间绝缘膜，2是电容元件用下电极，3是高电介质或强电介质(以下统称为电介质)所制成的电容绝缘膜，4是电容元件用上电极，5是电容元件用保护绝缘膜，6是金属布线。先如图3(a)所示，在形成有半导体集成电路的支持基板表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内含以电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，其特征在于，形成第一电介质膜后，在所述第一电介质膜上面层积厚度超过该第一电介质膜表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，然后在所述第二电介质膜上面使表面平整来层积蚀刻速度与该第二电介质膜蚀刻速度相同的薄膜，同时蚀刻除去所述薄膜全部与所述第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成所述电容绝缘膜。

【技术特征摘要】
JP 1995-7-14 178523/951.一种内含以电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，其特征在于，形成第一电介质膜后，在所述第一电介质膜上面层积厚度超过该第一电介质膜表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，然后在所述第二电介质膜上面使表面平整来层积蚀刻速度与该第二电介质膜蚀刻速度相同的薄膜，同时蚀刻除去所述薄膜全部与所述第二电介质膜的部分，使第二电介质膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：长野能久，藤井英治，那须徹，松田明浩，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]