制造半导体器件的方法技术

一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造集成电路的方法，或者更具体地涉及包括具有矩阵结构的矩阵器件(包括电——光显示器和半导体存储器)和作为开关元件的MOS或MIS(金属一绝缘体一半导体)型场效应元件(下文一般称之为MOS型元件)的半导体电路，其特征在于它的动态工作，诸如液晶显示和动态RAM(DRAM)及其驱动电路或类似图像传感器的集成驱动电路。本专利技术特别涉及一种采用薄膜半导体元件，诸如形成于绝缘表面的薄膜半导体晶体管或类似物，如MOS型元件的器件，还涉及具有薄膜晶体管的、其有源层是用晶体硅形成的器件。通常，用于薄膜器件，如薄膜绝缘栅型场效应晶体管(TFT)结晶硅半导体薄膜是用等离子CVD或热CVD方法形成的非晶硅膜在一种设备，如电炉中，在温度高于600℃经24小时以上进行结晶化的方法制备的。为了得到良好的特征，如高场迁移率和高可靠性，需要进行很多小时的热处理。然而，通常的方法存在许多问题。问题之一是其生产率低，随之而来的是产品的成本变得高。例如，若花24小时作晶体化处理时，而若每片衬底花费2分钟时间处理，在相同的时间内，必须处理720片衬底。然而一个常用的管式炉一次最多能处理50片衬底，当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体的件的方法，包括下列步骤： 通过低压化学汽相淀积法在衬底上形成一种包括硅的非单晶半导体膜； 选择性地形成一包含催化元素的与非单晶半导体膜相接触的衬底； 其中一部分非单晶半导体膜是沿着与衬底表面相平行的横方向结晶的。

【技术特征摘要】
JP 1993-7-27 204775/93;JP 1993-11-4 298944/93;JP 11.一种制造半导体的件的方法，包括下列步骤通过低压化学汽相淀积法在衬底上形成一种包括硅的非单晶半导体膜；选择性地形成一包含催化元素的与非单晶半导体膜相接触的衬底；其中一部分非单晶半导体膜是沿着与衬底表面相平行的横方向结晶的。2.一种制造半导体的件的方法，包括下列步骤通过低压化学汽相淀积法，使用单硅烷或乙硅烷在衬底上形成包括硅的非单晶半导体膜；形成一含催化元素的与非单晶膜相接触的衬底；以及用催化元素使非单晶半导体膜结晶。3.一种制造半导体的件的方法，包括下列步骤在衬底上形成一包含催化元素的衬底；用低压汽相淀积法在衬底上形成非单晶半导体膜；以及用催化元素沿着与衬底表面垂直的方向使非单晶半导体膜结晶。4.一种制造半导体的件的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，鱼地秀贵，高山彻，福永健司，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]