半导体器件及其制造方法技术

目的是提供在Ｓｉ衬底上边形成高品质的ＣａＮ系列化合物半导体层的半导体器件，构成是具备：Ｓｉ衬底１；在Ｓｉ衬底１上边形成的、由ＧａＡｓ或Ａｓ构成的应力吸收层２；在该应力吸收层２上边形成的由其组成为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）的化合物构成的缓冲层３；在该缓冲层３上边形成的、其组成为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）的化合物半导体层４。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及在Si衬底上具有由GaN系列化合物构成的高品质半导体结晶膜的。淀积这种高品质的GaN系列化合物膜所使用的生成方法可分为两组。即，一组是包括MOCVD法(metal organic chemical vapor depo-sition金属有机物化学汽相淀积)或者等离子体加速MOCVD(Plas-ma assisted MOCVD)之类的MOCVD法的变形例的方法。这一组的所有的方法的特征是代表性的反应炉压为10～1030hPa和高品质GaN的生长温度为500～1100℃。控制GaN的生长的机理为包括汽相化学反应及衬底表面与半导体膜表面之间的化学反应。第2组方法包括MBE(molecular beam epitaxy分子束外延)法之类的方法、和GSMBE(gas source MBE气源MBE)法，CBE(chem-ical beam epitaxy化学束外延)法或者MOMBE(metal organic MBE金属有机物MBE)法这样的关联方法。这一组方法与MOCVD法不同，炉压低到0.001hPa以下，且无气相反应。图8的模式图示出了MOCVD法的代表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征是具备有：Ｓｉ衬底（１）；形成于该Ｓｉ衬底上的，由ＧａＡｓ构成的应力吸收层；形成于该应力吸收层上边的，由组成为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）的化合物构成的缓冲层； 形成于该缓冲层上边的，组成为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ（０≤ｘ≤１，０≤ｙ≤１）的化合物半导体层。

【技术特征摘要】
JP 1995-12-11 321725/951.一种半导体器件，其特征是具备有Si衬底(1)；形成于该Si衬底上的，由GaAs构成的应力吸收层；形成于该应力吸收层上边的，由组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层；形成于该缓冲层上边的，组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。2.权利要求1中所述的半导体器件，其特征是上述应力吸收层的厚度为1nm～300nm。3.一种半导体器件，其特征是具备Si衬底；在该Si衬底上的一部分区域上形成的、由其键合数比Si的键合数小的材料构成的低键合力层；在该低键合力层上及上述Si衬底上的已形成了该低键合力层的区域以外的区域上边形成的、由GaAs构成的应力吸收层；在该应力吸收层上边形成的、其组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。4.权利要求3所述的半导体器件，其特征是在上述应力吸收层上边，形成由其组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层，在该缓冲层上边形成上述化合物半导体层。5.权利要求3所述的半导体器件，其特征是上述低键合力层由SiOx，SiNx，或SiON构成。6.一种半导体器件，其特征是具备Si衬底；在该Si衬底上边形成的、由As构成的应力吸收层；在该应力吸收层上边形成的、由其组成为AlxGa1-x-yIn...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂哈德马克斯，川津善平，早藤纪生，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]