半导体衬底的制造方法技术

制造质量好重复性好的ＳＯＩ衬底的方法。同时，重复使用晶片实现节约资源降低成本。该方法包括以下步骤：粘接第１和第２衬底的主表面，第１衬底是Ｓｉ衬底，其中通过多孔Ｓｉ层形成至少一层无孔薄膜；露出由第１和第２衬底构成的粘接衬底侧表面中的多孔硅层；氧化粘接衬底分割多孔Ｓｉ层；除去由分割多孔Ｓｉ层而分开的第２衬底上的多孔Ｓｉ和氧化多孔Ｓｉ层。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别涉及在介质隔离或绝缘体上的单晶半导体和Si衬底上的单晶化合物半导体的制造方法，还涉及电子器件和在单晶半导体层中制成的集成电路适用的。绝缘体上的单晶硅半导体层的形成已广泛地成为已知的绝缘体上的硅(SOI)技术，对此已进行了大量研究。因为，用SOI技术获得的器件有许多优点，这些优点是用于制作硅集成电路的普通体硅衬底无法获得的。即，用SOI技术能获得以下优点，例如1、容易介质隔离，可实现高集成度。2、耐辐射性好。3、寄生电容减小，能提高工作速度。4、可省去阱工艺。5、能防止闩锁。6、用薄膜结构能制成全耗尽型场效应晶体管。以下的文章中对这些优点有更详细的描述。如[Special Issue＂Single-Crystal Silicon on non-Single-Crystal insulators＂；edited byG.W.Cullen，Journal of Crystal Growth，volume63，No3，pp.429-590(1983)]。近年来，为实现提高MOSFET的速度和减少功耗有很多关于用SOI作衬底的报道(IEEE SOI Conferenc本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体衬底的制造方法，包括以下工艺步骤： 第１衬底的主表面与第２衬底主表面粘接的步骤，所述第１衬底是Ｓｉ衬底，其中至少有一层通过多孔Ｓｉ层形成的无孔薄膜； 露出由所述第１和第２衬底构成的粘接衬底的侧表面中的所述多孔Ｓｉ层的步骤； 氧化所述粘接衬底，在所述多孔Ｓｉ层中分割所述粘接衬底的步骤；以及 除去在所述多孔Ｓｉ层中分割所述粘接衬底而分开的所述第２衬底上的多孔Ｓｉ和氧化多孔Ｓｉ层的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-2-28 41709/961.半导体衬底的制造方法，包括以下工艺步骤第1衬底的主表面与第2衬底主表面粘接的步骤，所述第1衬底是Si衬底，其中至少有一层通过多孔Si层形成的无孔薄膜；露出由所述第1和第2衬底构成的粘接衬底的侧表面中的所述多孔Si层的步骤；氧化所述粘接衬底，在所述多孔Si层中分割所述粘接衬底的步骤；以及除去在所述多孔Si层中分割所述粘接衬底而分开的所述第2衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层的步骤。2.半导体衬底的制造方法，包括以下工艺步骤第1衬底的主表面与第2衬底的主表面粘接的步骤，所述第1衬底是Si衬底，其中通过多孔Si层形成至少一层无孔薄膜，和其中所述多孔Si层在其侧表面中露出；氧化由所述第1和第2衬底构成的粘接衬底，在所述多孔Si层中分割所述粘接衬底的步骤；和除去在所述多孔Si层中分割所述粘接衬底而分开的所述第2衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层的步骤。3.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，除去所述分割多孔Si层而分开的第1衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层后，第1衬底再用作粘接前的所述第1衬底的原材料。4.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，除去所述分割多孔Si层而分开的第1衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层后，第1衬底再用作粘接前的所述第2衬底的原材料。5.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，通过多孔Si层在所述第1衬底的两个主表面的每一个上形成至少一层无孔薄膜，所述第2衬底与所述两个主表面的每个表面粘接。6.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，所述无孔薄膜是单晶Si层。7.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，所述无孔薄膜包括氧化硅层和单晶硅层。8.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，所述无孔薄膜是单晶化合物半导体层。9.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，所述第2衬底是Si衬底。10.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，所述第2衬底是Si衬底，其中至少在要粘接的主表面上形成氧化Si膜。11.按权利要求1或2的半导体衬底的制造方法，其特征是，所述第2衬底是透光衬底。12.按权利要求5的半导体衬底的制造方法，其特征是，分别粘到所述第1衬底的两个主表面上的所述第2衬底，选自Si衬底，至少在待粘接的主表面上形成有氧化硅膜的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口清文，米原隆夫，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]