【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其涉及这样一种，它包括按矩阵结构排列的多个非易失性半导体存储单元，以及用以选择存储单元的多个选择晶体管。在能够分批擦除存储器内数据的所谓快速存储器的一种半导体存储器中，按矩阵结构排列一种将其浮动栅极用作非易失性半导体存储单元的存储单元，在一块半导体衬底上形成按行选择存储单元的选择晶体管。选择晶体管采用一种MOS晶体管，它为存储单元提供一种分层结构，包括浮动栅极导电层、栅极间绝缘层和控制栅极导电层。为了制造选择晶体管，为存储单元采用多层结构，电连接选择晶体管无需的浮动栅极层和控制栅极层。为此种电连接形成一接触孔，它通过栅极间绝缘层并在上述浮动栅极层上开口，在此接触孔中形成一连接器，它由一种金属材料制成，用以短路选择晶体管的浮动栅极和控制栅极，能利用存储单元的多层结构建立选择晶体管。然而，在上述常规的制造方法中，接触孔成型工艺是独立于其他工艺进行的，因此，为了成型接触孔需要专用掩膜、复杂的光刻和蚀刻工艺，这是造成复杂的接触孔制造工艺的主要原因。此外，在常规的制造方法中，在形成接触孔的蚀刻步骤中，为了保护存储单元区域中的栅极间绝缘层免受蚀刻的损害...
【技术保护点】
一种制造半导体存储器的方法，该半导体存储器在一个半导体衬底上包括多个按矩阵形式排列的存储单元，每个存储单元具有浮动栅极和控制栅极，该半导体存储器还包括选择晶体管，每个选择晶体管配置一个用以选择存储单元的栅极，其特征在于，所述方法包括以下步聚： 在半导体衬底上形成浮动栅极导电层、栅极间绝缘层和控制栅极导电层，在所述半导体衬底的每个有源区域内包括存储单元区部分和选择晶体管区部分； 与通过优先蚀刻控制栅极导电层、栅极间绝缘膜和浮动栅极导电层，形成每条字线的控制栅极的成型一起，在接近每个选择晶体管区域部分的控制栅极部分中形成第一接触孔，它穿过控制栅极导电层并在栅极间绝缘...
【技术特征摘要】
JP 1996-6-14 175506/961.一种制造半导体存储器的方法，该半导体存储器在一个半导体衬底上包括多个按矩阵形式排列的存储单元，每个存储单元具有浮动栅极和控制栅极，该半导体存储器还包括选择晶体管，每个选择晶体管配置一个用以选择存储单元的栅极，其特征在于，所述方法包括以下步骤在半导体衬底上形成浮动栅极导电层、栅极间绝缘层和控制栅极导电层，在所述半导体衬底的每个有源区域内包括存储单元区部分和选择晶体管区部分；与通过优先蚀刻控制栅极导电层、栅极间绝缘膜和浮动栅极导电层，形成每条字线的控制栅极的成型一起，在接近每个选择晶体管区域部分的控制栅极部分中形成第一接触孔，它穿过控制栅极导电层并在栅极间绝缘层上开口；在每个存储单元区域部分和每个选择晶体管区域部分中形成源极区和漏极区；在用层间绝缘膜覆盖衬底的表面后，形成穿过层间绝缘膜并向每个漏极区开口的漏极接触孔，同时形成第二接触孔，它穿过第一接触孔部分和栅极间绝缘层并向每个浮动栅极导电层开口；以及形成位线，每条位线穿过漏极接触孔与漏极区接触，同时形成连接器，它穿过第一和第二接触孔，在每个选择晶体管内将浮动栅极导电层和控制栅极导电层连接在一起。2.如权利要求1所述的制造半导体存储器的方法，其特征在于，通过利用掩模溅射金属材料形成所述位线和所述连接器。3.如权利要求1所述的制造半导体存储器的方法，其特征在于，所述控制栅极导电层具有双层结构，通过在掺杂的多晶硅导电层部分上沉积金属导电层部分而形成。4.如权利要求1所述的制造半导体存储器的方法，其特征在于，所述第二接触孔的顶端孔径大于第一接触孔的孔径，采用对绝缘材料比对金属材料更有效的蚀刻剂蚀刻形成第二接触孔。5.如权利要求1所述的制造半导体存储器的方法，其特征在于，所述第一和第二接触孔同轴形成。6.一种制造半导体存储器的方法，该半导体存储器在一个半导体衬底上包括多个按矩阵形式排列的存储单元，每个存储单元具有浮动栅极和控制栅极，该半导体存储器还包括选择晶体管，每个选择晶体管配置一个用以...
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