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一种简化的制造半导体存储器１０的工艺，其中，在形成具有控制栅极导电层１９、栅极间绝缘膜１７和浮动栅极导电层１８的多层结构后，按两个步骤形成供连接器２１用的接触孔，该连接器将浮动栅极导电层１８和控制栅极导电层１９连接在一起；形成第一接触孔２４...
该专利属于冲电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过冲电气工业株式会社授权不得商用。

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