在基片上形成突出部的方法和装置制造方法及图纸

一种在基片上形成突出部（７３）的方法和装置，包括将掩模（１２）定位于基片（１３）上，掩模具有开口（１５），在需要形成突出部的位置（１７）露出基片。产生一等离子体（５７），将用以形成突出部的颗粒或小粒（６９）引入等离子体，通过后者变换为液态或熔融的小滴（６４），并使其喷射或淀积在掩模和基片的外露区域上。允许熔融小滴聚结在基片上形成突出部。然后移去掩模。掩模可由任何合适的材料制成，可选择使其能回收任何过喷的突出部材料。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对电子元件制造工艺的改进，尤其涉及对在诸如引线框、电路板、半导体芯片、玻璃基片等形成突出部之方法的改进。在各种器件的制造过程中，通常希望在基片上的预定位置上形成相对较厚的突出部或隆起，以提供可以形成电连接的结构。例如，在半导体器件结构中，通常要在半导体材料芯片或晶片上形成微小的集成电路。为了使芯片上的各个区域，尤其是使芯片中所构成的集成电路之各种元件能形成电接触，通常形成能连接导线或其它大尺寸结构的突出部。因而，为了制造某些类型的半导体器件，必须或最好使厚的在空间上完全确定和物理上一致的突出部，或由诸如银或金等不同材料的淀积物淀积在诸如引线框或半导体硅片之类基片的特定区域。过去，是通过电镀、溅射淀积、化学气相淀积、蚀刻或其它这种化学工艺完成的。近来，通过设置小金珠并物理上用砧座(anvil)使之变形，在基片上形成突出部。此外，也采用其它的工艺。这些步骤通常包含技术的，并可能包括采用真空技术、腐蚀性化合物、长的周期、昂贵的基本设备、大量的工艺或复杂的掩模。在除了制造半导体以外的工艺中，也可以采用形成突出部使之建立电接触的方法。在某些应用中，例如在制造太阳能电池等的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基片上形成具有一定图形的突出部的方法，其特征在于包括：将一掩模定位在所述基片上，所述掩模具有开口的图形，以露出所述基片上需要形成突出部的位置；产生等离子体；将形成所述突出部之材料的粉末引入所述等离子体，其中，所述材料通过所 述等离子体变换为液态；允许所述等离子体中已变换的材料淀积在所述掩模上和所述基片的外露位置上，并聚结在所述基片的外露位置上形成所述突出部；以及移去所述掩模。

【技术特征摘要】
US 1995-10-16 085437841.一种在基片上形成具有一定图形的突出部的方法，其特征在于包括将一掩模定位在所述基片上，所述掩模具有开口的图形，以露出所述基片上需要形成突出部的位置；产生等离子体；将形成所述突出部之材料的粉末引入所述等离子体，其中，所述材料通过所述等离子体变换为液态；允许所述等离子体中已变换的材料淀积在所述掩模上和所述基片的外露位置上，并聚结在所述基片的外露位置上形成所述突出部；以及移去所述掩模。2.一种在基片上淀积突出部的方法，其特征在于包括将掩模与所述基片对准，以便将所述掩模上的小孔与所述基片上将形成突出部的外露区域对准；将所述掩模固定在所述基片上形成一个靶夹具；将气体等离子体引向所述靶夹具；将一物质引入所述等离子体，所述等离子体将所述物质变换为待淀积的材料；相互相对地移动所述靶夹具和所述等离子体，其中，将所述材料喷镀在所述掩模的区域与所述基片的所述外露区域上；以及从所述基片上移去所述掩模，以使淀积在所述基片上所述外露区域上的所述材料留下，形成突出部。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述物质为固态导体颗粒，而所述材料为所述液态导体，其中，所述液态导体在其淀积在所述掩模和所述基片的所述区域上后复原为固态。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于进一步包括控制喷镀在所述掩模上的所述材料，以使淀积厚度小于所述掩模的厚度。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于进一步包括控制所述物质引入所述等离子体的供料速度，以控制所述材料淀积在所述掩模和所述基片之所述区域上的厚度。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述相互相对地移动所述靶夹具和所述等离子体的步骤，是通过控制所述靶夹具与所述等离子体之间的相对旋转运动的速度而完成的。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于进一步包括同时沿直线路径相对所述靶夹具移动所述等离子体。8.如权利要求2所述的方法，其特征在于进一步包括在所述掩模从所述基片上移去后，从所述掩模上除去所述已淀积的材料，并重新利用所述掩模。9.如权利要求2所述的方法，其特征在于进一步包括，在所述掩模从所述基片上移去后，从所述掩模上回收所述淀积的材料。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述回收所述淀积材料的步骤包括溶解所述掩模。11.如权利要求2所述的方法，其特征在于进一步包括，在所述掩模上设置成具有一定形状的小孔，所述小孔为所述突出部形成所需的侧壁形状。12.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将掩模固定在所述基片上形成一靶夹具的步骤，包括将所述掩模和所述基片安装在一个夹具内。13.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述物质在通过所述等离子体变换后，仍基本上为不同物态的同一物质。14.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述物质至少部分与所述等离子体气体化合。15.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳德C阿博特，雷蒙德A费雷谢特，加里D马什，里查德M布鲁克，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]