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目的是提供在Ｓｉ衬底上边形成高品质的ＣａＮ系列化合物半导体层的半导体器件，构成是具备：Ｓｉ衬底１；在Ｓｉ衬底１上边形成的、由ＧａＡｓ或Ａｓ构成的应力吸收层２；在该应力吸收层２上边形成的由其组成为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ－ｙ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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