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本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面层积厚度超过其表面凸部与...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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