半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜（６）的烧结工序的烧结温度保持在６５０℃，利用以５℃／分或１０℃／分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒（７）的平均粒径为１２．８ｎｍ、粒径离散的标准偏差几乎为２．２ｎｍ的结晶大小的厚度约１８５ｎｍ的Ｂａ↓［０．７］Ｓｒ↓［０．３］ＴｉＯ↓［３］组成的电容绝缘膜（６）。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及内装以强电介质膜或大介电常数电介质膜为电容绝缘膜的电容元件的。近几年，随着电子设备的高速化和低电压动作化，从电子设备发出的电磁辐射的噪声成为重大的课题。作为降低这种不需要的电磁辐射的手段之一，在半导体集成电路中组装进用强电介质膜或大介电常数电介质膜(下面称为大介电常数膜)为电容绝缘膜的大容量电容元件的技术引人注目。此外，利用强电介质膜的磁滞特性，盛行着能低电压动作和高速读写的非易失性存储器的实用化研究。下面，参照图6—附图说明图10对内装以往的电容元件的半导体器件进行说明。如图6所示，内装以往的电容元件的半导体器件主要由在制作集成电路的(未图示)支承基片1的表面上有选择地形成的白金组成的第一电极2、在该第一电极2的表面上形成的由钡锶钛氧化物(Ba0.7Sr0.3TiO3)等大介电常数组成的电容绝缘膜3和在该电容绝缘膜3的表面上不与第一电极2接触所形成的白金组成的第二电极4构成。在这种制造方法中，首先，利用溅射或者电子束蒸镀、在支承基板1的表面上相同地形成第一电极2，接着，利用自旋喷涂法、溅射法或者化学汽相淀积(CVD)法、在其面上形成Ba0.7Sr0.3TiO3。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：内装由形成集成电路的支承基片、在该支承基片的上面有选择地形成的第一电极、在该第一电极的上面形成的由大介电常数电介质组成的电容绝缘膜和在该电容绝缘膜的上面形成不与所述第一电极接触的第二电极组成的电容元件，其特征在于，具有由所述大介电常数电介质组成的电容绝缘膜的结晶粒平均粒径在５－２０ｎｍ范围并且其平均粒径的粒径分布在标准偏差３ｎｍ以内的电容绝缘膜的电容元件。

【技术特征摘要】
JP 1995-6-22 155921/951.一种半导体器件，包括内装由形成集成电路的支承基片、在该支承基片的上面有选择地形成的第一电极、在该第一电极的上面形成的由大介电常数电介质组成的电容绝缘膜和在该电容绝缘膜的上面形成不与所述第一电极接触的第二电极组成的电容元件，其特征在于，具有由所述大介电常数电介质组成的电容绝缘膜的结晶粒平均粒径在...

【专利技术属性】
技术研发人员：嶋田恭博，上本康裕，井上敦雄，松浦武敏，吾妻正道，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]