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以形成在半导体膜之上的栅电极内掩模，把杂质离子注入半导体膜。之后，在包括栅电极的基片上形成光刻胶膜。从栅电极后背使栅电极上的光刻胶膜曝光。按此自对准方法，形成宽度窄于栅电极的光刻胶图形。然后以光刻胶图形为掩模，通过腐蚀使栅电极变窄，从而获得...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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