【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于放大超高频信号的功放半导体器件，特别涉及一种具有多个分别设置成梳齿状的漏极和栅极结构(此后称之为多条结构)的半导体器件。迄今为止，放大几百MHz(例如900MHz)信号的功率晶体管已用于便携式电话的传输级。由于这种类型的携式电话由电池驱动，所以要求其每次充电后能够使用尽可能长的时间。另外，为了减小便携式电话的外观尺寸和减轻其重量，需要电池尺寸减小。然而，电池尺寸减小便无法增大电池的容量，因此，要求减小用于这种便携式电话的功率晶体管功率放大电路的电流，以提高放大效率。在上述情况下，为了解决上述问题，例如日本技术特许公开公报51-80063已提出了一种多条结构的功率晶体管，其中的多条结构由多个场效应晶体管单元构成，每个单元都有交错排列成梳齿状的漏极和栅极。图7示出了常规多条结构的功率晶体管的布局。如图7所示，多个源极78、栅极条71和漏极条73按固定间隔交错排列，形成多个晶体管单元(基本单元)72。此后，多个沿漏极引出电极74和栅极引出电极76延伸的方向设置的基本单元称为“晶体管单元”。每个基本单元72中，漏极条73通过漏极引出电极74共接...
【技术保护点】
半导体器件，其特征在于，包括： 多个按第一预定间隔排列的第一场效应晶体管（ＦＥＴ）（２０），其栅极（８）形成于半导体衬底（１）的主表面上，其漏极（１ｇ）和源极（１ｅ）形成于栅极两侧的区域； 多个按第一预定间隔排列的第二ＦＥＴ（２０），其栅极（８）形成于半导体衬底的主表面上，其漏极（１ｇ）和源极（１ｅ）形成于栅极两侧的区域，所说第一和第二ＦＥＴ按第二预定间隔排列，该间隔窄于第一预定间隔，由此构成成对ＦＥＴ； 穿过成对ＦＥＴ之间区域的所说半导体衬底的主表面和背面的导电层（１ｃ）； 其中构成所说成对ＦＥＴ的所说第一和第二ＦＥＴ彼此靠近设置，以便它们的漏极彼...
【技术特征摘要】
JP 1997-2-28 045525/971.半导体器件，其特征在于，包括多个按第一预定间隔排列的第一场效应晶体管(FET)(20)，其栅极(8)形成于半导体衬底(1)的主表面上，其漏极(1g)和源极(1e)形成于栅极两侧的区域；多个按第一预定间隔排列的第二FET(20)，其栅极(8)形成于半导体衬底的主表面上，其漏极(1g)和源极(1e)形成于栅极两侧的区域，所说第一和第二FET按第二预定间隔排列，该间隔窄于第一预定间隔，由此构成成对FET；穿过成对FET之间区域的所说半导体衬底的主表面和背面的导电层(1c)；其中构成所说成对FET的所说第一和第二FET彼此靠近设置，以便它们的漏极彼此相对；其中所说第一和第二FET在其源极的短边方向的区域宽度基本等于所说第一和第二FET在其漏极的短边方向的区域宽度；其中所说一和第二FET的所有漏极彼此电连接；其中所说第一和第二FET的所有栅极彼此电连接；及所说第一和第二FET的所有源极通过所说导电层在所说半导体衬底背面上彼此电连接。2.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的成对FET按大于第二预定间隔的预定间隔设置。3.根据权利要求2的半导体器件，其特征在于，所说的成对FET的每个皆包括形成于所说半导体衬底主表面上的一个漏极接触(1h)和两个源极接触(1d)，漏极接触与所说第一和第...
【专利技术属性】
技术研发人员：近松圣，渡边寿郎，井上寿明，小濑泰，
申请(专利权)人：NEC化合物半导体器件株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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