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一种半导体器件包括：多个第一场效应晶体管（ＦＥＴ），其栅极形成于半导体衬底主表面上，其漏极和源极形成于栅极两侧的区域；多个第二ＦＥＴ，其栅极形成于半导体衬底的主表面上，其漏极和源极形成于栅极两侧的区域；穿过成对ＦＥＴ之间区域的半导体衬底的主...
该专利属于NEC化合物半导体器件株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过NEC化合物半导体器件株式会社授权不得商用。

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